Transistores e1568657181182

Transistor

  • American Telephone and Telegraph Corporation

    American Telephone and Telegraph Corporation
    Fundación de la "American Telephone and Telegraph Corporation", por parte de Alexander Graham Bell, Gardiner G. Hubbard y Thomas Sanders.
  • Triodo en un tubo de vacio

    Triodo en un tubo de vacio
    Lee De Forest patenta el triodo en un tubo de vacío, también llamado como "Audion". Conocido como el padre del transistor.
  • Period: to

    Tiempo de investigación

    Un equipo dirigido por Wiliam Bradford Shockley intenta encontrar una herramienta que pueda sustituir satisfactoriamente el "Audion".
  • Primer transistor

    Primer transistor
    John Bardeen y Walter Brattain, lograron hacer funcionar un amplificador empleando un transistor fabricado con germanio.
  • Transistor de Contacto

    Transistor de Contacto
    Un nuevo tipo de transistor fue por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, trabajadores de la Compagnie des Freins et Signaux. Fecha concreta incierta.
  • Period: to

    Patente del primer transistor

    Se patenta la fabricación del primer transistor, la que Shockley no figuraba como su autor.
  • Period: to

    Transistor de Aleación, Transistor de Particulas Finas y Transistor de Uniunión

    Se desconoce la fecha y creadores de dichos transistores.
  • Version mejorada del primer transistor por parte de Shockley

    Version mejorada del primer transistor por parte de Shockley
    Shockley creó un transistor diferente al de puntas de contacto, denominado transistor de unión.
  • Version mejorada del transistor por parte de Bardeen y Brattain

    Días después de la entrega de Shockley, Bardeen y Brattain crearon su propia versión mejorada del transistor.
  • Primer transistor industrial

    Primer transistor industrial
    Fue registrada la patente del primer transistor industrial desarrollado por Bell Labs, específicamente por William G. Pfann.
  • Transistor de Efecto de Campo

    Transistor de Efecto de Campo
    George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo.
  • Transistor de Barrera de Superficie de Germanio

    Transistor de Barrera de Superficie de Germanio
    Fue desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en 1953. Lo que lo diferenciaba de los demás fue que ​capaz de operar con señales de hasta 60 MHz. Fecha concreta incierta.
  • Fototransistor

    Fototransistor
    Se creó el fototransistor. Fecha de creación y creador inciertos,
  • Period: to

    Primer Transistor de Silicio

    Fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero de 1954 por el químico Morris Tanenbaum
  • Primer Transistor MOSFET

    Primer Transistor MOSFET
    Fue construido por el coreano-estadounidense; Dawon Kahng y el egipcio; Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell. Fecha concreta incierta.
  • Transistores IGBT

    Transistores IGBT
    Fue creado por los inventores japoneses Kozo Yamagami y Y. Akakiri, Fecha de creación concreta incierta.