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en 1900,
Creación del rectificador de arco de mercurio. Inventado en 1902 por Peter Cooper Hewitt , los rectificadores de arco de mercurio se utilizaron para proporcionar energía a motores industriales, ferrocarriles eléctricos , tranvías y locomotoras eléctricas , así como para transmisores de radio y para transmisión de energía de corriente continua de alto voltaje (HVDC). -
HISTORIA
La electrónica de potencia tuvo origen a partir del ano 1900, siendo esto la historia, con la introducción del rectificador de arco de mercurio. Después introdujeron en forma gradual, el rectificador de tanque metálico, el de tubo al vacío por la rejilla, el ignitron, el fanotron y el tiratron. Estos dispositivos se aplicaban para el control de potencia hasta la década de 1050. el arranque de un nuevo conocimiento ya que contribuye al ahorro energético mediante la optimización del consumo. -
en 1906,
con la invención del tríodo por parte de Lee De Forest, que permitió el desarrollo de la radio. La telefonía de larga distancia y las películas -
en 1920
El primer motor de compresión de variable fue construido en 1920 por Harry Ricardo y se utilizaba para probar la detonación y octanaje de los combustibles. La variación de la cámara de combustión se conseguía modificando la altura del cilindro con respecto al eje del cigüeña. -
en 1925, 1933
Rectificador de selenio fue inventado en 1902 por Peter Cooper Hewitt y se desarrollo entre los años 1920 y 1930. Una capa mucho más gruesa de selenio (50 a 60 micras) dopado con un halógeno se deposita en la parte superior de la delgada de metal chapado . A continuación, el selenio se convierte en una forma gris policristalina (hexagonal) mediante recocido . -
en 1947,
Con la invención del transistor se inicio la electrónica de estado solido. Basada en semiconductores que desplazaría completamente a la válvula termoiónica o válvula de vacío. El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954 por el químico Morris Tanenbaum. El día 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos semiconductores. -
en 1948,
El transistor bipolar de unión, inventado por Shockley en 1948,fue durante tres décadas el dispositivo favorito en el diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de los BJTs ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados. -
en 1958,
Se desarrollo el primero circuito integrado que integraba seis transistores en un único chip. -
1960,
El transistor este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los años 1960. Aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado por William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. -
en 1970,
Se desarrollo el primero microprocesador Intel 4004. -
en 1970,
En 1958 Jack Kilby de Texas Instruments construyó el primer circuito integrado. IBM en el año 1964 produce la serie 360 con circuitos integrados, sustituyendo la serie 700, la cual estaba diseñada con transistores. Otra características de estos aparatos era la memoria virtual.5 -
en 1975
El microprocesador surgió de la evolución de distintas tecnologías predecesoras, básicamente de la computación y de la tecnología de semiconductores. El inicio de esta última data de mitad de la década de 1950; estas tecnologías se fusionaron a principios de los años 1970, produciendo el primer microprocesador. -
en 1980,
aparición de los transistores MOSFET un transistor mosfet es un aparato unipolar que funciona por medio de tensión. Su aplicación en la industria es muy común debido a su capacidad de amplificación o conmutación de señales electrónicas. Forma parte de la familia de trasformadores de potencia. -
en 1982,
Se introdujo el transistor bipolar de puerta aislada. Este dispositivo generalmente es utilizado como interruptor. también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar), es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. -
en 2000 y 2010,
Casi 50 años después del descubrimiento del efecto fotovoltaico, en 1883, el inventor americano Charles Fritz creó la primera celda solar de selenio funcional. Si bien usamos silicio en las celdas de paneles solares modernos, esta celda solar fue una precursora principal de la tecnología usada hoy día. Sin embargo, la puerta definitiva hacia el desarrollo de la energía solar la abriría mucho después el físico francés Alexandre Edmond Becquerel, descubridor del efecto fotovoltaico en 1838. -
en 2010, 2020
La evolución de la electrónica de potencia en estos últimos anos también sigue avanzando tanto en aviones como en carros eléctricos y satélites en el espacio.