Ram

Evolução das memórias Ram

  • 2.1- MRAM "Magneto-resistive Random Access Memory é um memória não volátil, considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos móveis de alto desempenho." Este tipo de RAM . foi criada em 1955.

    2.1- MRAM "Magneto-resistive Random Access Memory é um memória não volátil, considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos móveis de alto desempenho." Este tipo de RAM . foi criada em 1955.
  • -SIPP- "Single In Line Pin Package Encapsulamento usando Pinos Simples em Linha. Primeiro tipo de módulo de memória a ser lançado. É um módulo de 8 bits contendo 30 pinos." Esta foi lançada em 1960.

    -SIPP- "Single In Line Pin Package Encapsulamento usando Pinos Simples em Linha. Primeiro tipo de módulo de memória a ser lançado. É um módulo de 8 bits contendo 30 pinos." Esta foi lançada em 1960.
  • - DRAM- "Dynamic random access memory é um tipo de memória de acesso direto que armazena cada bit de dados num condensador ou capacitor. Memória de acesso aleatório ." Esta foi criada em 1966 e lançada em 1970.

    - DRAM- "Dynamic random access memory é um tipo de memória de acesso direto que armazena cada bit de dados num condensador ou capacitor. Memória de acesso aleatório ." Esta foi criada em 1966 e lançada em 1970.
  • - SIMM- "Single In-line Memory Module, é um tipo de módulo de memória contendo RAM usada em computadores do início da década de 1980 até fins da década de 1990." Há 3 tipos de memórias SIMM, de 30 pinos, 68 pinos e 72 pinos. Esta foi lançada em 1980

    - SIMM- "Single In-line Memory Module, é um tipo de módulo de memória contendo RAM usada em computadores do início da década de 1980 até fins da década de 1990."  Há 3 tipos de memórias SIMM, de 30 pinos, 68 pinos e 72 pinos. Esta foi lançada em 1980
  • - SRAM "Static Random Access Memory, é um tipo de memória de acesso aleatório que mantém os dados armazenados desde que seja mantida sua alimentação, não precisando que as células que armazenam os bits sejam atualizadas." Esta foi lançada em 1997

    - SRAM "Static Random Access Memory, é um tipo de memória de acesso aleatório que mantém os dados armazenados desde que seja mantida sua alimentação, não precisando que as células que armazenam os bits sejam atualizadas."  Esta foi lançada em 1997
  • RIMM – "Rambus In Line Memory Module, tipo de módulo de memória usada pelas memorias com tecnologia Rambus." Esta tecnologia consiste na transmissão de poucos bits porem com um clock muito elevado. Esta foi lançada em 2001.

    RIMM – "Rambus In Line Memory Module, tipo de módulo de memória usada pelas memorias com tecnologia Rambus." Esta tecnologia consiste na transmissão de poucos bits porem com um clock muito elevado.  Esta foi lançada em 2001.
  • DDR-1 "Com a DDR ou DDR1, foi possível transferir 2 dados ao invés de um, e deste modo, dobrando a frequência de 200Mhz para 400Mhz." Esta atinge uma maior largura de banda do que a taxa de dados SDRAM. Esta foi lançada em 2002.

    DDR-1 "Com a DDR ou DDR1, foi possível transferir 2 dados ao invés de um, e deste modo, dobrando a frequência de 200Mhz para 400Mhz."  Esta atinge uma maior largura de banda do que a taxa de dados SDRAM. Esta foi lançada em 2002.
  • DDR2 "A DDR2 abre uma grande vantagem em relação a DDR 1."ao contrário da DDR1, a DDR 2 consome menos energia. Sua principal vantagem é a capacidade de operar o barramento externo de dados duas vezes mais rápido que SDRAM DDR1. Esta foi lançada em 2003.

    DDR2 "A DDR2 abre uma grande vantagem em relação a DDR 1."ao contrário da DDR1, a DDR 2 consome menos energia. Sua principal vantagem é a capacidade de operar o barramento externo de dados duas vezes mais rápido que SDRAM DDR1. Esta foi lançada em 2003.
  • DDR3 "A DDR3 consome menos energia que a sua antecedera e aumentou a capacidade se comunicação 8 vezes." DDR3 também adiciona funções, a memória controlar a taxa de atualização de acordo com a variação da temperatura. Esta foi lançada em 2006.

    DDR3 "A DDR3 consome menos energia que a sua antecedera e aumentou a capacidade se comunicação 8 vezes." DDR3 também adiciona  funções,  a memória controlar a taxa de atualização de acordo com a variação da temperatura. Esta foi lançada em 2006.
  • DDR4 "Lançado no mercado em 2014, é uma das mais recentes memória dinâmica de acesso aleatório . A principal vantagem é: Maior densidade de módulo e os requisitos de tensão mais baixas, juntamente com mais elevadas taxas de transferência de dados

    DDR4 "Lançado no mercado em 2014, é uma das mais recentes  memória dinâmica de acesso aleatório . A principal vantagem é: Maior densidade de módulo e os requisitos de tensão mais baixas, juntamente com mais elevadas taxas de transferência de dados