Rom Linea del tiempo

Rom

Mar 13, 1956

Read only memory. Se programa en la fabrica, utilizan el mètodo de Mask Programmed. Tiene una capacidad de 128Mbits y una velocidad de lectura de 100nano segundos. No es reprogramable.

PROM

Mar 13, 1956

Programble read only memory. Inventada por Wen Tsing Chow. Para la programacion esta se le aplica un voltaje de 12 a 21 voltios para quemar cada fusible, los fusibles quemados se leen como 0 y los no quemados como 1. Este es el metodo Fusible ling; no hay limite en el tiempo de vida ùtil.

EPROM

Mar 3, 1971

Erasable and Programmable Read-only Memory. Creada por Dov Frohman cuando trabajaba para Intel. Esta funciona al colocar carga electrostàtica en una celda hecha con transistores. Los datos almacenados duran hasta 10 años. Se borra al colocar la bajo un rayo de luz UV durante un tiempo. Tiempo de lectura menor a los 100 us. Tiempo de lectura de 200 ns.

EEPROM

Mar 13, 1978

Electrically Erasable Programmable Read Only Memory. Desarrollada por George Perlegos que trabajaba en intel. Es muy pareciada a la EPROM, lo que la diferencia es que utiliza una carga de voltaje para borrar los datos, este es el Tunneling. Para el borrado se lleva aproximadamente 1s. Para el tiempo de escritura es de 1 us, y el de lectura es de 200ns. Se puede borrar todo el chip o un sector unas 100,000 veces. Para la programacion se utiliza el metodo hot electron injection.

Flash

Mar 13, 1980

Creada por Fuijo Masukata quien trabajaba en Toshiba. Esta surgio de la memoria EEPROM, por lo cual se permite el reprogramar y eleminar datos, como minimo de 1hasta de 1024 bytes. Esto se puede hacer unas 10000 veces. Se utiliza el efecto Tunneling tanto para la programacion como el borrado, Tiene un tiempo de lectura de 35ns y de escritura 15 ms.