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Flash Memory
Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND. -
FPM-RAM
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos los más rápidos y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la CPU. La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. -
EDO-RAM
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. -
BEDO-RAM
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz. -
SDR RAM
Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns, -
ESDRAM
Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales. Velocidad de transferencia de la información: Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s @ 150 MHz -
DDR-SDRAM
Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). -
PC2100-DDR266
Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s. -
PC4200 – DDR533
Velocidad de transferencia Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s. -
PC2100 – DDR266
Velocidad de transferencia Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s. PC4200 – DDR533 -
PC6400 – DDR800
Velocidad de transferencia Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s. -
DDR3 – 1066
Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s. DDR3 – 1333. -
RAM DATA DDR4
permitiendo crear módulos de 16 GB y 32 GB. El uso de estos nuevos módulos de memoria permitiría a los servidores empresariales de próxima generación reducir el consumo y a la vez aumentar el rendimiento del sistema. Estos chips de memoria DDR4 ofrecen una tasa de transferencia de 2.667 megabits por segundo, más de un 25% superior a los chips DDR3 fabricados a 20 nm y con un consumo un 30% inferior 17. -
DDR5 SDRAM
Es la abreviatura de memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de quinta generación de datos.12 Se planea que DDR5 reduzca el consumo de energía, mientras se duplica el ancho de banda pasando de 3,2 GB/s a los 6,4 GB/s, doblando también su tasa de transferencia máxima de los 25,6 GB/s de las DDR4 actuales a un máximo de 51,2 GB/s y la capacidad en relación con la SDRAM DDR4.