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Creación ROM
La memoria de sólo lectura es concebida, luego del descubrimiento de los semiconductores y su aplicación en la electrónica. -
Características ROM
La ROM es un tipo de memoria donde puede accederse a su contenido sin modificarlo (o sólo ocasionalmente). Almacena tanto datos como programas. Se programa normalmente durante la fabricación, a través del método de máscara o de fusible metálico. -
Creación PROM
Nace en este año como la memoria programable de sólo lectura, en respuesta a algunas desventajas que traía la ROM. -
Características PROM
Permitía la modificación de datos sólo una vez a través de pulsos de alto voltaje. Al ser programable, el usuario podía escoger la cantidad de chips necesarios para sus proyectos. -
Creación EPROM
Creación de la memoria borrable y programable de sólo lectura, por Dov Frohman de Intel. -
Característias EPROM
Almacena información que se modifica con poca frecuencia. La carga elestrostática (0 o 1) queda atrapada en la celda de un transistor. Esta carga se coloca con un voltaje alto, de 12 a 15 V. Los datos se borran con luz UV, y pueden durar más de 10 años grabados. Tarda menos de 100 microsegundos en escribir en una celda y 200 nanosegundos en leer. -
Creación EEPROM
George Perlegos de Intel crea en este año la memoria de borrado eléctrico y reprogramable de sólo lectura. -
Características EEPROM
Borra los datos a través del tunneling, que es un efecto cuántivo mecánico donde se transportan los electrones en la capa aislante. Se escribe de igual forma que la EPROM, con una carga alta de voltaje. Tarda menos de 100 microsegundos es escribir en una celda, y 200 nanosegundos en leer. -
Creación Memoria Flash
Fujio Masuoka de Toshiba creó en este año la memoria flash. -
Características Memoria Flash
Utiliza una capa aislante de 10 nanómetros de espesor, llamado ONO. Se programa y se borra con el efecto de tunneling, como el borrado de la EEPROM. Se borra en bloques de 1 a 1024 Bytes, y su vida útil es de 10000 ciclos. Dependiendo del fabricante, la flash puede tener una interfaz de borrado. Se tarda 5 milisegundos en escribir y 35 nanosegundos en leer.
