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Rectificación por puntas de metal sobre cristales de sulfuros metálicos.
Karl Ferdinand Braun descubre que apoyando un conductor metálico sobre un cristal de sulfuro de plomo o de bisulfuro de hierro, el contacto tiene propiedades de conducción y rectificación. -
Emisión de electrones en un tubo de rayos catódicos.
Joseph John Thomson descubre la emisión de electrones en un tubo de rayos catódicos en el que se había hecho vacío, llamado así porque electrodo caliente emisor actúa como cátodo de la ampolla en un circuito de corriente continua. -
Válvula electrónica de vacío (diodo) para radio, o válvula termoiónica
John Ambrose Fleming desarrollo el diodo de vacío, capaz de ser empleado con cierta eficiencia en la detección de emisiones de radio. Los electrones emitidos por el cátodo caliente del diodo eran absorbidos por la tensión positiva de la placa. Con tensión negativa de placa, los electrones eran rechazados y la corriente cesaba. Su elevada tensión umbral lo hacía poco útil para rectificar las señales débiles captadas por las antenas. -
Triodo
Robert Von Lieben y Lee de forest inventan por separado el triodo interponiendo una rejilla entre el cátodo y el ánodo de una válvula electrónica y observando que la tensión de esta al respecto al cátodo modula el flujo de electrones entre cátodo y ánodo. El descubrimiento de este primer dispositivo electrónico activo es considerado por algunos como en nacimiento de la Electrónica. -
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Valvula de gas.
Para aumentar la corriente anódica del triodo de vacío se le relleno de un gas favorecedor de la conducción. Nació así el tiratrón que derivo pronto hacia una válvula rectificadora controlada, existiendo variante con cátodo caliente y con cátodo frio. A los científicos Irving Langmuir y a Albert Hull de General Electric se los considera los padres de la válvula de gas y los primeros en investigar la rectificación controlada. -
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Efecto Schottky. Barrera de potencial.
Walter Schottky descubre en 1914 la reducción de la función de trabajo por un campo eléctrico. En 1929 verifica experimentalmente la barrera de potencial en los contactos metal-semiconductor. En 1939 desarrolla las teorías de carga espacial y de capa límite de los rectificadores cristalinos. -
Tetrodo
El tubo tetrodo fue desarrollado por Walter H. Schottky mientras trabajaba para Siemens & Halske GMBH en Alemania, durante la Primera Guerra Mundial, siendo el tetrodo una válvula con más rejillas para combinar sus efectos y depurar el funcionamiento de la válvula. Mas específicamente está constituida por cuatro electrodos: cátodo, dos rejillas y ánodo. -
Multivibrador astable.
Un astable es un circuito multivibrador que no tiene ningún estado estable, lo que significa que posee dos estados inestables entre los que conmuta, permaneciendo en cada uno de ellos un tiempo determinado. Henri Abraham y Eugàne Bloch construyen con triodos el primer multivibrador astable en 1917 que oscilaba a 1.000 Hz. -
Multivibrador biestable.
Multivibrador capaz de permanecer en uno de dos estados posibles durante un tiempo indefinido en ausencia de perturbaciones. Dos años después de la creación del astable, William Hemy Eccles y F. W. Jordan realizan el biestable oflip-flop, primer circuito capaz de almacenar y entregar información en lógica binaria. -
Period: to
Predicción teórica del transistor de efecto de campo o FET.
Julius Edgar Lilienfeld desarrolla entre (1925 y 1928) la teoría de funcionamiento de lo que más tarde será el transistor de efecto de campo, imposible de realizar en ese momento por escaso desarrollo de las tecnologías de fabricación, presentando varias patentes. Seis años después Oskar Ernst Heil construye y patenta un dispositivo rudimentario muy alejado del FET actual. -
Pentodo
Válvula termoiónica formada por cinco electrodos. Muy parecida funcionalmente al triodo, tiene tres rejillas en vez de una sola. Fue inventado por los neerlandeses Gilles Holst. -
Tiratrón
Se llama tiratrón a un tipo de válvula termoiónica, generalmente con configuración de triodo, cuyo interior se encuentra relleno de gas. El primer tiratrón comercial apareció hacia 1928. -
Diodo de selenio.
De una manera puramente experimental, y antes del desarrollo de la física del estado sólido que dará lugar a los diodos y transistores con semiconductores, se construyeron diodos rectificadores de potencia con selenio que llegaban a varios amperios y soportaban una tensión inversa de unos 15 V. Se introdujeron comercialmente en 1930 en Alemania. -
Transistor de efecto campo o FET.
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma. Oscar Heil describe la posibilidad de controlar la resistencia en un material semiconductor con un campo eléctrico en una patente británica en 1935. -
Diodo Scohttky.
Los diodos metal- semiconductores resultantes, o diodos Schottky, tiene menor caída de tensión en conducción menor carga de recuperación que los diodos de unión p-n, por lo que son ideales para convertidores de alta tensión y baja frecuencia. Proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa. -
Ignitrón
La válvula rectificadora de gas con cátodo de mercurio e ignición controlada, o ignitrón, se desarrolla en los últimos años treinta y primeros cuarenta por varias compañías (Westinghouse entre otras) en entornos industriales, como el metalúrgico, necesitados del control de procesos con potencia eléctrica elevada. -
Ordenador con válvula ENIAC.
John Presper Eckert y John William Mauchly construyen el primer ordenador aplicado, el ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer), realizado con 19.000 válvulas, encargo del ejército norteamericano para calcular tablas de tiro de proyectiles. Disponía, además, de 1.500 relés, consumía 150 kW, ocupaba 140 m cuadrados y pesaba 30 toneladas. -
Transistor de punto de contacto.
transistor de punto de contacto, que funcionó el 16 de diciembre de 1947 construido sobre un sustrato de germanio tipo N con dopado P superficial sobre el que se disponía una punta metálica de contacto. Un paso importante en la consecución de este primer transistor de contacto fue el empleo de una unión inversamente polarizada para conseguir ganancia de tensión. -
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Transistor de unión bipolar.
La invención del transistor de unión, operó el 20 de mayo de 1950. La base de la teoría del transistor de unión NPN, como hoy es conocida, vio la luz en el cuaderno de notas de Shockley el 23 de enero de 1948. -
Transistor bipolar.
es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La fecha de su invención fue el 20 de mayo de 1950. -
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Transistores bipolares de potencia.
Ya en la década de los cincuenta se inicia el desarrollo de transistores de unión de potencia, consiguiéndose pronto componentes de decenas de amperios y voltios en cápsulas metálicas. A partir de los setenta se llevan a cabo esfuerzos notables por ampliar la potencia y la frecuencia del transistor de unión que en los ochenta alcanzan los 200 A y 2.000 V. -
Transistor Darlington
Es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en una configuración tipo Darlington en un único dispositivo. Esta conexión permite que la corriente amplificada por el primer transistor ingrese a la base del segundo transistor y sea nuevamente amplificada. La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell, Sídney Darlington quien solicitó la patente el 9 de mayo de 1952. -
Diodo Tunel
Es una variante de diodo de alta velocidad de transición entre los estados de corte y conducción, empleada en circuitos digitales rápidos y en circuitos de potencia de frecuencia alta y tensión de alimentación muy baja. Se consigue dopando los semiconductores mucho más intensamente que en los diodos normales. Fue inventado por Leo Esaki, físico de Sony, dentro de su tesis doctoral sobre uniones P-N muy dopadas. -
Rectificador controlado de silicio o SCR
La compañía General Electric desarrolla en 1957 un dispositivo de silicio de cuatro capas y tres uniones P-N capaz de bloqueo de tensión en ambos sentidos y de conducción saturada regenerativa en uno de ellos, con control del paso a conducción mediante un electrodo de puerta. La puerta no tiene acción sobre el paso a bloqueo; que debe hacerse por extinción de la corriente por medios externos. -
Circuito integrado
El circuito integrado es ejemplo de desarrollo compartido. Jack St. Clair Kilby, a quien suele atribuirse su paternidad junto con Robert Norton Noyce. En 1958, 3 personas de 3 compañías de los Estados Unidos de Norteamérica resolvieron 3 problemas fundamentales que impedían la producción de circuitos integrados. Jack Kilby de Texas Instruments patentó el principio de integración, creó el primer prototipo de CI y los comercializó. -
Transistor MOSFET
D. Kahng y M. M. Atalla consiguieron un material aislante adecuado, basado en el óxido de silicio (de ahí el nombre de Metal Oxicle Silicon Field Effect Transistor, o MOSFET). El trabajo se presentó en junio de 1960. Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. -
Transistor FET
Las múltiples investigaciones habidas se centraban siempre en la búsqueda de una modulación eficiente de la conductancia del material base con la mínima tensión aplicada al elemento inductor del campo eléctrico. El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. -
TRIAC
De entre ellos, los de más incidencia en la Electrónica de Potencia, además del SCR, han sido el-TRIAC (Triode AC semiconductor, tiristor de iniciación a la conducción controlada en dos sentidos), patentado por William F. Gutzwiller, de General Electric, en 1966. Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. -
Tiristor GTO
Es un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G). GTO (Gate Turn-Off switch, tiristor de bloqueo controlado por puerta), probado en los sesenta e introducido comercialmente en los setenta. -
Transistores VMOS, o MOSFET de potencia
La obtención de transistores MOSFET de potencia; Una solución aceptable al problema, vino de la mano de los transistores VMOS cuyo nombre deriva de la forma en V de su estructura para conseguir el citado flujo axial (o vertical) de cargas. Fue introducido comercialmente por la finna Siliconix en los setenta. -
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Transistores IGBT
La búsqueda del interruptor de estado sólido de potencia ideal (capaz de bloquear alta tensión con bajas pérdidas de corriente, de conducir alta corriente con baja caída de tensión y de pasar del estado de bloqueo a conducción, y viceversa, con poco gasto energético en un terminal de control y manejando baja carga de almacenamiento entre los terminales principales), no cesa, aunque el mas ideal ha sido el IGBT. -
Microprocesador
Intel comercializa el microprocesador 4004 que contenía 2.300 transistores y ejecutaba 60.000 operaciones por segundo, con una frecuencia de reloj de 108 kHz. Su potencia de cálculo se asemeja a la del primer ordenador de válvulas, el ENIAC: Muchos circuitos de control de la moderna Electrónica de Potencia serían imposibles sin otros dispositivos para el procesamiento de señales de alto nivel de integración. -
Interruptores inteligentes de potencia.
Desde la década de los ochenta los transistores y otros interruptores de potencia se comercializan a veces integrando en la misma cápsula la pastilla de potencia y otras destinadas a facilitar las funciones antedichas, de forma que el empleo del interruptor queda enormemente facilitado y asegurado. Tales semiconductores de potencia se denominan interruptores o semiconductores de potencia inteligentes (Smart power en inglés). -
Transistor IGBT
Hoy día el dispositivo más cercano al ideal es el IGBT (Insulated Cate Bipolar Transistor), una combinación de transistor bipolar en su estructura principal y de FET en su región de puerta que combina ya el control de algunos miles de amperios, tensión de bloqueo de hasta unos 6.000 V, frecuencia de trabajo de varios kilohercios y bajas necesidades de excitación de puerta. Desarrollados por General Electric, datan de los años setenta y se popularizan en 1988 con Fuji.
