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Rectificación por puntas de metal sobre cristales de sulfuros metálicos
Karl Ferdinan Braun,descubre que apoyando un conductor metálico sobre un cristal de galena o de pirita,el contacto tiene propiedades de conducción y rectificación -
Emicion de electrones en un tubo de rayos catodicos
Joseph John Thomson descubre la emicion de electrones en un tubo de rayos catodicos en el que se habia hecho al vacio llamado asi porque el electrodo caliente emisor actua como catodo de la ampolla,o tuvo de dos polos,en un circuito de continua -
Valvula electronica de vacio para radio,o valvula termoionica
Jhon Ambrose Fleming desarroyo el diodo de vacio, capas de ser empleado con cierta eficiencia en la deteccion de emisiones de radio. Los electrones emitidos por el catodo caliente del diodo eran absorbidos por la tension positiva de la placa. Con tension negativa de placa, los electrones eran rechazados y la corriente cesaba. Su elevada tension umbral lo hacia poco util para rectificar las señales debiles captadas por las antenas -
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Triodo Tetrodo Pentodo
Robert Von Lieben y Lee de Forest,inventan por separado el triodo interponiendo una rejilla entre el cátodo y el ánodo de una válvula electrónica y observando que la tensión de esta respecto al cátodo modula el flujo de electrones entre el cátodo y ánodo. Posteriormente se construyen valvulas con mas rejillas para combinar sus efectos y depurar el funcionamiento de la valvula: el Tetrodo de Walter Schottky y el Pentodo de Bernard D.H. Tellegen -
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Tiratron
Para aumentar la corriente anódica del triodo de vacío se relleno de un gas favorecedor de la conducción como neón, xenón, vapor de mercurio y, en las aplicaciones de alta tensión, hidrógeno. Nació así el tiratrón, o válvula de gas, que derivó pronto hacia una válvula rectifi cadora controlada, existiendo variantes con cátodo caliente y con cátodo frío. Irving Langmuir y a Albert Hull de General Electric dicen que fueron los padres de la válvula de gas -
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Efecto Schottky. Barrera de potencial. Diodo Schottky
Walter Schottky descubre en 1914 la reducción de la función de trabajo por un campo eléctrico.En 1929 verifica experimentalmente la barrera de potencial en los contactos metal-semiconductor.En 1939 desarrolla las teorías de carga espacial y de capa límite de los rectificadores cristalinos.Los diodos metal-semiconductor resultantes,o diodos Schottky,tienen menor caída de tensión en conducción y menor carga de recuperación,son ideales para convertidores de baja tensión y alta frecuencia. -
Multivibrador biestable
William Henry Eccles y F. W. Jordan realizan el biestable o flip-flop, primer circuito capaz de almacenar y entregar información en lógica binaria. -
Predicción teórica del transistor de efecto de campo o FET y posterior construcción (1934)
Julius Edgar Lilienfeld desarrolla entre 1925 y 1928 la teoría de funcionamiento de lo que más tarde será el transistor de efecto de campo, imposible de realizar en ese momento por escaso desarrollo de las tecnologías de fabricación, presentando varias patentes. -
Diodos de selenio
De una manera puramente experimental,y antes del desarrollo de la física del estado sólido que dará lugar a los diodos y transistores con semiconductores,se construyeron diodos rectificadores de potencia con selenio que llegaban a varios amperios y soportaban una tensión inversa de unos 15v.Se introdujeron comercialmente en 1930 en Alemania.Para mayores voltajes se apilaban diodos en serie. -
Transistor de efecto de campo
Oskar Ernst Heil construye y patenta un dispositivo rudimentario muy alejado del FET actual. -
Ignitrón
La válvula rectificadora de gas con cátodo de mercurio e ignición controlada, o ignitrón, se desarrolla en los últimos años treinta y primeros cuarenta por varias compañías (Westing house entre otras) en entornos industriales, como el metalúrgico, necesitados del control de procesos con potencia eléctrica elevada. Supone un avance en la corriente y tensión manejada por el tiratrón, pues alcanzan ya en sus primeros años de empleo cientos de amperios y miles de voltios. -
Ordenador con válvulas ENIAC
John Presper Eckert y John William Mauchly construyen el primer ordenador aplicado, el ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer), realizado con 19.000 válvulas, encargo del ejército norteamericano para calcular tablas de tiro de proyectiles. Disponía, además, de 1.500 relés, consumía 150 kW, ocupaba 140m2 y pesaba 30 toneladas. -
Transistor de contacto
El transistor de contacto fue el primer tipo de transistor que se demostró con éxito.Fue desarrollado por John Bardeen y Walter Brattain a laboratorios Bell en diciembre de 1947.Trabajaron en un grupo dirigido por el físico William Shockley.El grupo había estado trabajando conjuntamente en experimentos y teorías de efectos de campo eléctrico en materiales de estado sólido,con el objetivo de sustituir los tubos de vacío por un dispositivo más pequeño que consume menos energía -
Transistor bipolar de contacto de punto
El transistor bipolar de contacto de punto,antecesor directo del transistor de unión,fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell por John Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la dirección de William Shockley.El transistor bipolar de unión, inventado por Shockley en 1948,fue durante tres décadas el dispositivo favorito en el diseño de circuitos discretos e integrados.Hoy en día, el uso de los BJTs ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados -
Transistor bipolar de potencia. Transistor Darlington
se inicia el desarrollo de transistores de unión de potencia, consiguiéndose pronto componentes de decenas de amperios y voltios en cápsulas metálicas. A partir de los setenta se llevan a cabo esfuerzos notables por ampliar la potencia y la frecuencia del transistor de unión que en los ochenta alcanzan los 200 A y 2.000 V. -
Diodo túnel
Es una variante de diodo de alta velocidad de transición entre los estados de corte y conducción, empleada en circuitos digitales rápidos y en circuitos de potencia de frecuencia alta y tensión de alimentación muy baja. Se consigue dopando los semiconductores mucho más intensamente que en los diodos normales. Fue inventado por Leo Esaki. En el curso de la investigación,Esaki encontró un artículo de. A.G. Chimoweth y K.G. McKay que afirmaba haber verificado el efecto túnel en uniones de silicio. -
Rectificador controlado de silicio o SCR/TRIAC
La compañía General Electric desarrolla en 1957 un dispositivo de silicio de cuatro capas y tres uniones P-N capaz de bloqueo de tensión en ambos sentidos y de conducción saturada regenerativa en uno de ellos, con control del paso a conducción mediante un electrodo de puerta. La puerta no tiene acción sobre el paso a bloqueo, que debe hacerse por extinción de la corriente por medios externos. -
Circuito integrado
Un circuito integrado (CI),creado por Geoffrey William Arnold Dummer,es una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor,normalmente silicio,de algunos milímetros cuadrados de superficie,sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado de plástico o de cerámica.El encapsulado posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión entre el circuito integrado y un circuito impreso. -
Transistores VMOS
los transistores VMOS cuyo nombre deriva de la forma en V de su estructura para conseguir el citado flujo axial (o vertical) de cargas. Fue introducido comercialmente por la firma Siliconix en los setenta. De esta estructura primera derivaron otras basadas en la combinación de celdillas con la estructura básica antedicha que recibieron diversos nombres comerciales (HEXFET, DMOS, de International Rectifier, SIPMOS de Siemens, ZMOS de Intersil, por ejemplo) -
Transistores FET y MOSFET modernos
D. Kahng y M. M. Atalla consiguieron un material aislante adecuado.El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET,es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. -
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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transis tor)
Hoy día el dispositivo más cercano al ideal es el IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), una combinación de transistor bipolar en su estructura principal y de FET en su región de puerta que combina ya el control de algunos miles de amperios, tensión de bloqueo de hasta unos 6.000 V, frecuencia de trabajo de varios kilohercios y bajas necesidades de excita ción de puerta. -
Microprocesador
Intel comercializa el microprocesador 4004 que contenía 2.300 transistores y ejecutaba 60.000 operaciones por segundo, con una frecuencia de reloj de 108 kHz. Su potencia de cálculo se asemeja a la del primer ordenador de válvulas, el ENIAC: Muchos circuitos de control de la moderna Electrónica de Potencia serían imposibles sin estos y otros dispositivos para el procesamiento de señales de alto nivel de integración -
Interruptores inteligentes de potencia
Desde la década de los ochenta los transistores y otros interruptores de potencia se comercializan a veces integrando en la misma cápsula la pastilla de potencia y otras destinadas a facilitar las funciones antedichas, de forma que el empleo del interruptor queda enormemente facilitado y asegurado. Tales semiconductores de potencia se denominan interruptores o semiconductores de potencia inteligentes (Smart power en inglés).
