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Memoria Ovonic
Ovshinsky de Laboratorios Bell en 1968
La memoria Ovonic almacena datos en la FASE de la materia
Material Ovonic tiene dos estados (cambio de temperatura)
Cristalino estructurado: baja reflectividad, baja resistencia eléctrica
No cristalino amorfo: alta reflectividad, alta resistencia eléctrica
Los estados tienen una diferencia de 40 veces en la resistencia, por tanto la celda Ovonic se puede leer
Material: calcogenuro
Memoria Ovonic es estática, no necesita refresco
La lectura de datos no es de -
FRAM
Es una memoria de estado sólido, similar a la memoria RAM, pero que tiene un funcionamiento más parecido a las antiguas memorias de ferrita. Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un microscópico condensador, contiene dentro moléculas que preservan la información por medio de un efecto ferroeléctrico. *Encapsulados
*No volátiles
*Lectura destructiva
*Tiempo de acceso corto -
MRAM (Magnoresistive RAM)
Capa de óxido entre dos capas magnéticas
Una capa magnética tiene dirección de campo fija
Otra capa magnética gira su magnitización (flechas dobles)
Explota las propiedades eléctricas y magnéticas de la materia
Freescale en 2006 (4Mbit)
Tiempos de acceso similar a SRAM (5-40 nseg)
Pueden realizar un número ilimitado de escrituras
Magnetización: (M) se genera pasando corriente en la línea de escritura
Resitencia baja: M en la misma dirección (paralelo)
