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Memoria ROM
La memoria ROM, por sus siglas en inglés, representa memoria de solo lectura. Las primeras ROM eran programadas solo una vez y no se podian modificar. Se conocian también como MROM ya que la técnica en la que se programaban se llamaba masked programming. Es no volátil -
PROM
Memoria de sólo lectura programable. Permitia que se modificara solo una vez a través de pulsos de alto voltaje. Se programa pr dos técnicas, destrucción de fusible y destruccón de unión. -
EPROM
En inglés: Erasable and Programmable Read-only Memory. Inventada por el Ingeniero Dov Frohman en Intel. Formada por celdas FAMOS. La información se guarda por medio de que la carga electroestatica se queda atrapada la celda.Se puede borrar la información por fuertes rayos ultravioletas. La mameoria puede almacenar la información por aproximadamente 10 años. -
EEPROM
Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Inventada por George Perlegos en Intel. La ventaja de esta memoria es que permite la repromacación de la misma y que las palabras se pueden borrar de manera individual, aunque su vida útil es muy parecida a las EPROM (10 años). Programación similiar a EPROM y su metodo de borrar información es por medipo de "tunneling", que consiste en un efecto cuántico que trasporta electrones a una capa aislante. -
Memoria Flash
Inventada por Fujio Masuoka en Toshiba. Tiene vida útil de 10,000 ciclos. Se programa y se borra información por "tunneling". Sus ventajas son de que el tiempo pra borra información es significativamente menor a las anteriores, además que se puede borrar información por Bytes y también el tiempo de acceso a la información es mas pequeño. Puede construir por compuertas NOR (en paralelo) ó con NAND (en serie).
