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epROM
Inventor fue Dov Frohman. La memoria Almacena información que se modifica con poca frecuencia y funciona atrapando carga electrostatica en celdas de transistores. Se puede programar mediante inyeccion de electrones calientes y se borra mediante un segundo trascurrido. -
eepROM
Inventor fue George Perlegos. Tiene como diferencia a la epROM su estilo de borrado que utiliza carga de voltaje en lugar de Tunneling. Como tiempo de borrado tiene de 1s con un tiempo de lectura de acceso de 200 ns y es borrado con la inyeccion de electrones calientes con carga electrica. -
Flash
Inventor de la Memoria Flash fue Fujio Masuoka. Se programa mediante la carga sobre floating gate estalla sobre la capa de ONO por medio de electrones de tunelización (tunneling). Se borra en una velocidad de 5 ms mediante tunneling y el grabado tambien es por tunneling y tiene un tiempo de lectura de acceso de 35 ns.