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SRAM - Estática
Esta memoria esta basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, puede mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Pero, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica. -
SDRAM - Dinámica
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. -
FPM RAM - Dinámica
Actualmente no se utiliza.
DRAM (DRAM FPM Fast Page Mode): es una variante de la DRAM. El FPM ofrece tiempos de acceso de alrededor de 70-80 ns para una frecuencia de funcionamiento entre 25 a 33 MHz, ya que no puede proporcionar el número de columna una sola vez (Los datos no se encuentran en la misma línea, pero sólo la misma columna). -
BEDO RAM - Estática
Algunas veces llamada Burst EDO RAM, fue un tipo de EDORAM capaz de trabajar con CPUs que tenían una velocidad de bus de 66 MHz, o menor.
Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquema -
DRAM - Dinámica
Dynamic Random Access Memory – Memoria dinámica de acceso aleatorio. Usada en PC como el 386 su velocidad de refrescamiento típica es de 80 ó 70 nanosegundos. Físicamente aparece en forma de DIMMs o de SIMMs. -
EDO RAM - Dinámica
Extended Data Output Random Access Memory – Memoria de acceso aleatorio extendida de salida de datos.Evoluciona de la Fast Page Memory mejorando el rendimiento en un 10% aproximadamente. Con un refrescamiento de 70, 60 ó 50 nanosegundos. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque también se puede encontrar en forma de DIMMs de 168 contactos. -
PC-100
Es un estandar paara la interna extraible equipo memoria de acceso aleatorio, que se define por la JEDEC. PC100 se refiere a la DRAM síncrona operando a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, con un voltaje de 3,3 V. PC 100 esta disponible en 168-pin DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de form. PC 100 es compatible con PC66 y fue reemplazado por el PC133 estandar. -
SLDRAM - Dinámica
Es una DRAM fruto de un desarollo conjunto y, en cuanto a la velocidad, puede representar la competencia mas cercana de Rambus. Su desarollo se lleva a cabo por un grpo de 12 compañias fabricantes de memoria. -
ESDRAM - Dinámica
Enhanced SDRAM – Para superar algunos de los problemas de latencia inherentes con los módulos de memoria DRAM standar, varios fabricantes han incluido una cantidad pequeña de SRAM directamente en el chip, eficazmente creando un caché en el chip. Permite tiempos de latencia más bajos y funcionamientos de 200 mhz. La SDRAM oficia como un caché dentro de la memoria. -
Sync RAM - Estática
Es tambien un tipo de memoria cache. La RAM sincronizada a rafagas ofrece datos de modo sincronizado con lo que no hay retraso en los ciclos de lecrtura a rafagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. -
RDRAM - Dinámica
La tecnología RDRAM de Rambus ofrece un diseño de interface chip a chip de sistema que permite un paso de datos hasta 10 veces más rápido que la DRAM estándar, a través de un bus simplificado. Se la encuentra en módulos RIMM los que conforman el estándar de formato DIMM pero sus pines no son compatibles. -
PB SRAM - Estática
Es un tipo de memoria estatica pero que funciona a rafagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de la lectura a a memoria. Es usada como cache al igual que la SRAM, y es la mas rapida de la actualidad con soporte para buses de 75 MHz o superiores. Su velocidad de acceso suele ser de 4 a 8 manosegundos.
