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PROM
PROM es el acrónimo en inglés de programmable read-only memory, que significa «memoria de solo lectura programable». Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROM, o cuando l -
DRAM
DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que significa memoria dinámica de acceso aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco. En oposición a este concepto surge el de memoria SRAM (RAM estática), con la que se denomina al tipo de tecno -
memoria RAM
La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory, RAM) se utiliza como memoria de trabajo de computadoras para el sistema operativo, los programas y la mayor parte del software. En la RAM se cargan todas las instrucciones que ejecutan la unidad central de procesamiento (procesador) y otras unidades del computador. Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un -
SDRAM
SDRAM (siglas en inglés de synchronous dynamic random-access memory) es una familia de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) que tienen una interfaz síncrona, usadas ya desde principios de 1970
Las memorias SDRAM son ampliamente utilizadas en los ordenadores, desde la original SDR SDRAM y las posteriores DDR, DDR2 y DDR3. Actualmente se están produciendo las DDR4 y ya están disponibles en el mercado. Las memorias SDRAM también están disponible en variedades registradas, para sistemas que -
EDO RAM
EDO (salida de datos extendida) de RAM es un tipo de memoria de acceso aleatorio (RAM) chip que mejora el tiempo de leer de la memoria en microprocesadores más rápidos, como el Intel Pentium. EDO RAM se optimizó inicialmente para la MHz Pentium 66. Para computadoras más rápidas, se recomiendan diferentes tipos de RAM dinámica sincrónica (SDRAM). -
SRAM
SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Este concepto surge en oposición al de memoria DRAM (RAM dinámica), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en condensadores, que sí necesita refresco dinámico de sus cargas -
EPROM
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman de Intel1 . Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). -
FPM DRAM
Prior to newer forms of dynamic random access memory (DRAM), FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) was the most common kind of DRAM in personal computers. Page mode DRAM essentially accesses a row of RAM without having to continually respecify the row. A row access strobe (RAS) signal is kept active while the column access strobe (CAS) signal changes to read a sequence of contiguous memory cells. This reduces access time and lowers power requirements. Clock timings for FPM DRAM are typically 6-3-3-3 (m -
ROM
La memoria de solo lectura, conocida también como ROM (acrónimo en inglés de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite solo la lectura de la información y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energía. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rápida o fácil. Se utiliza principalmente en su sentido más estricto, se refiere solo a máscara ROM -en ingl -
RDRAM
La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema. El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó e -
SWAP
Es lo que el equipo utiliza cuando se queda sin RAM. Swap es sólo una cantidad reservada de la memoria en su disco duro. Si usted tiene 2G de RAM y su PC necesita almacenar 2.5G de cosas en el carnero .. 500meg conseguirá poner en swap en el disco duro. El problema con el uso de swap es que su lento que carnero normal. Así que es malo si su ser utilizada. Intercambiar normalmente debería ser ~ 2 veces la cantidad de RAM que tiene. Así que su configuración, por ejemplo, está muy bien. El equipo e -
FLASH NAND
La memoria flash —derivada de la memoria EEPROM— permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB. -
Buffer
En informática, un buffer de datos es un espacio de la memoria en un disco o en un instrumento digital reservado para el almacenamiento temporal de información digital, mientras que está esperando ser procesada. Por ejemplo, un analizador TRF tendrá uno o varios buffers de entrada, donde se guardan las palabras digitales que representan las muestras de la señal de entrada. El Z-Buffer es el usado para el renderizado de imágenes 3D. -
EEPROM
EEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no volátiles. Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cor -
BEDO RAM
Algunas veces llamada Burst EDO RAM, fue un tipo de EDO
RAM capaz de trabajar con CPUs que tenían una velocidad de bus de 66 MHz, o menor.
Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquem
