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Invencion de la ROM
Se crea la primera ROM (Read Only Memory), este chip era grabado una sola vez y luego no era posible modificar la información almacenada en el mismo. Se utilizaba el método “Mask programmed” para grabar la información en estos chips. -
Memoria RAM de Nucleo Magnetico
La memoria de núcleos magnéticos, fue una forma de memoria principal de los computadores, hasta comienzos de 1970. La función de esta memoria era similar a la que realiza la memoria RAM en la actualidad: es el espacio de trabajo, para la CPU, donde se graban los resultados inmediatos de las operaciones que se van realizando. A diferencia de la RAM basada en tecnologías DRAM, se basa en las propiedades magnéticas de su componente activo, el núcleo de ferrita y era una memoria no volátil. -
Nacimiento de PROM
PROM es el acrónimo en inglés de programmable read-only memory, que significa «memoria de solo lectura programable». Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible, que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROM, o cuando los datos deben cambiar en muchos de los casos. -
Twistor Memory
Twistor es una forma de memoria de la computadora formado envolviendo la cinta magnética alrededor de un alambre portador de corriente. Operacionalmente era muy similar a la memoria de base. También se podría utilizar para hacer memorias ROM, incluyendo una forma reprogramable conocido como twistor de lengüeta. Ambas formas fueron capaces de ser fabricados mediante procesos automatizados, que se esperaba para dar lugar a mucho más bajos costos de producción que los sistemas basados en la base. -
Surgimiento de EPROM
El ingeniero Dov Frohman inventa la EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria del tipo no volátil, estaba formada por celdas FAMOS (Floating Gate Avalanche Injection Metal Oxide Semiconductor). Se programaba con pulsos eléctricos y se borraba a través de luz ultravioleta, el tiempo de borrado es alrededor de 20 minutos y puede almacenar información por más de 10 años. Tenía capacidades de 256 bytes hasta 1 Mbyte. -
Miniaturizacion de la Memoria RAM
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento2 se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM -
Invencion de EEPROM
Se inventa la memoria EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria de tipo no volátil, era programada y borrada a través de pulsos eléctricos lo que permitía reducir el tiempo de programado y borrado a diferencia de la EPROM. Las celdas están formadas por transistores MOS y con estructura SAMOS. Tiene un tiempo de borrado y lectura de 1 s y 200 ns respectivamente. Puede ser borrada y reprogramada 100,000 veces. -
Surge EEPROM FLASH
La memoria flash —derivada de la memoria EEPROM— permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB. -
FPM RAM
Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en técnicas como el Burst Mode usado en procesadores como el Intel 486.3 Se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. -
Memoria NOR
Intel desarrolla la memoria flash tipo NOR, esta contenía una arquitecutra de transistores en paralelo y una de las ventajas principales era que podía ejecutar el código directamente. Se borra en bloques de 128 Kbytes en un tiempo de 5 s, tiene un tiempo de borrado y escritura de 100,000 ciclos. Una de las desventajas principales era la capacidad pequeña. -
Memoria NAND
Toshiba desarrolla la memoria flash de tipo NAND. Tenía una arquitectura de transistores en serie, se borraba en bloques de 32 Kbytes en 4ms. Un ciclo de borrado y programado de 1,000,000. Una ventaja principal es que puede llegar a tener cantidades grandes de almacenamiento, y una de las desventajas es que no puede ejecutar código directo como la NOR. -
EDO RAM
Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búfer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura. -
BEDO RAM
Burst Extended Data Output RAM fue la evolución de la EDO-RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50 % mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK.
