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Núcleo magnético
Se basa en las propiedades magnéticas de su componente activo, el núcleo de ferrita y era una memoria no volátil. -
RAM basada en semiconductores de silicio
Creada por Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria -
Memoria DRAM de 1024 bytes
Referencia i1103, se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. -
Memoria Mostek
MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines,1 mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. -
FPM-RAM
Fast Page Mode RAM, se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. -
EDO-RAM
Extended Data Output RAM, permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). -
BEDO-RAM
Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. -
Pc66
La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s. -
Period: to
SDR SDRAM
Se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. -
Pc100
La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s. -
Pc133
La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s. -
RDRAM
Se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit. -
ESDRAM
Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. -
Period: to
DDR-SDRAM
Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. -
DDR3 SDRAM
Permite usar integrados de 1 GB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GB. -
Ddr4
DDR4 entrega mayor rendimiento, capacidades DIMM más elevadas, una mejora en la integridad de los datos y ofrece un menor consumo de energía.
