Memoria RAM

  • Primer Chip

    Primer Chip
    La primera patente (Dynamic Random-Access Memory) registrada por Robert Dnnard, consistia en un transitor el cual lee y refresca la carga. Mientras que el condensador almacena un solo bit y una carga eléctrica, los mismo estaban emparejados.
  • RAM estática (sram)

    RAM estática (sram)
    Primer lanzamiento de la empresa Intel, un chip sram (Static Random Access Memory). Necesitaba energía para abarcar información, esta cambia según las veces que accedamos a la memoria. Conteniendo un tamaño de 256 bits.
  • Primera DRAM

    Primera DRAM
    La DRAM (Dynamic Random Access Memory) es dinámica, al contrario que la SRAM. Las células que guardan la información son refrescadas con nueva electricidad cada "X" milisegundos para que la memoria RAM mantenga su información.
  • Módulo SIMM

    Módulo SIMM
    El módulo SIMM (Single In-line Memory Module), era una placa con circuito impreso en la PCB donde se montaban las memorias DRAM, se insertaba en una ranura de la placa base protegiéndola al momento de sacarla. Los contactos de ambas caras estaban interconectados.
  • SDRAM

    SDRAM
    Samsung fabricó el primer módulo de SDRAM, se sincronizaba a ella misma con la frecuencia del sistema. Esta permitía a la memoria funcionar a velocidades más altas que los otros tipos de memoria. Soportaba una frecuencia de hasta 133 MHz, su tamaño era de 16 MB.
  • DDR

    DDR
    El DDR (Double Data Rate), utiliza el límite máximo y mínimo del reloj del sistema, doblando la velocidad de la memoria. Fue una tecnología que se utilizó en memoria RAM, como en tarjetas gráficas.Su tamaño era de 1 GB,sus velocidades relacionadas con los estanderes eran: 133, 200,266, 333 y 400 MHz. Tenían un voltaje de 2.5v.
  • RDRAM

    RDRAM
    Esta ram posía dos tipos de módulos: RIMM y DIMM, fueron usados con Pentium 4 de Intel, utilizaron los módulos Direct RDRAM que incorporaban 72 MB, requerían señal contínua, si había slot de memoria vacío, el pc no funcionaba bien.
  • eDRAM

    eDRAM
    Sony y Toshiba producieron una memoria RAM integrada en la mismo dia de MCM, los costes de producción eran elevados porque requerían más fases de producción, su objetivo eran las videoconsolas, PS2, Xbox 360, PSP, GameCube, Wii e. Se comercializaban en 32 MB, NEC llegó a fabricar eDRAM con 80 MB.
  • DDR2

    DDR2
    El DDR2 es una memória SDRAM con módulos DIMM.Ofrecía un voltaje de 1.8V, una latencia máxima de CL7 y sus frecuencias rondaban en 400, 533, 666, 800 y 1066 MHz.
  • DDR3

    DDR3
    Samsung larga la DDR3 al mercado de los videojuegos para PC. Contenía frecuencias desdes 1066 MHz hasta 2133 MHz en escritorio, Hubieron memorias DDR3 con una frecuencia de 3300 MHz. Su voltaje era entre 1.35 V y 1.5V. Tenían una latencia mínima de CL9 y como máximo una CL16. El tamaño máximo por módulo era de 1GB.
  • DDR4

    DDR4 fue desarrolada por Hynix, un módulo de 2 GB, con una frecuencia de 2.133 MHz. Sus avances fueron desde 2133 MHz hasta 4.800 MHz de frecuencia, con un voltaje desde 1.15V hasta 1.35V. A la DDR4 la comercializaron con mas frecuencia (+3000 MHz) , su latencia aumentaba y la mínima era de CL14 en 2133 MHz. Llegaron a 3.866 MHz que alcanzaron a CL19.
  • Period: to

    DDR5

    La DDR5 fue fabricada por Samsung, Micron y SK Hynix,su capacidad por módulo sería de 8GB como mínimo, hasta 64 GB. Mejoró su voltaje siendo de 1.1V. Cuando su latencia supera los 3.800 se dispara a CL19.