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Memoria de nucleo magnetico
uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de nucleo magnetico, desarollada entre 1949 y 1952, usada en muchos computadores hasta la aparicion de los circuitos integrados -
Memoria Ram de semiconductores de silicio
en 1969 fueron lanzadas una de las primeras memoria RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria, para el siguiente año se presento una memoria ram de un kibibyte -
Memoria DRAM
en 1973 se precento una innovacion que permitio otra miniaturizacion y se convirtio en estandar para las memorias DRAM; la multiplexacion en tiempo de las direcciones de memoria -
Finales le los 80
a finales de los 80 el aumento de la velocidad de los procesadores y el aunmento del anchoo de banda requerido dejaron resagada a la memoria DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se tubieron que realizar una seria de mejoras dando paso a los siguiente tipos de memoria ram -
SDR SDRAM
SDR viene de las siglas "Single Data Rate", que en castellano podría traducirse como una "única tasa de datos al mismo tiempo", eso quiere decir que con cada ciclo de reloj es capaz de enviar una única tasa de datos al mismo tiempo, a diferencia de las DDR. -
DDR RDRAM
DDR SDRAM (de las siglas en inglés Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 1990. Su primera especificación se publicó en junio de 2000. -
DDR2 SDRAM
memoria DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información. -
DDR3 SDRAM
Se preveía, que la tecnología DDR3 pudiera ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometía ofrecer DDR3 era la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexa-Core (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes. -
DDR4 SDRAM
En el año 2008, un invitado de Quimonda (industria alemana de semiconductores) en el San Francisco Intel Developer Forum anunció al público presente que DDR4 tendría una arquitectura a 30 nm a 1,2 voltios, con frecuencias de 2133 MHz y que su lanzamiento sería en 2012. Además añadía que en 2013 esperaba ver módulos funcionando a 1 voltio con frecuencias de 2667 MHz. -
DDR4 SDRAM Lanzamiento
los primeros módulos de memoria DDR4 con el proceso de fabricación a 20 nm, permitiendo crear módulos de 16 GB y 32 GB. El uso de estos nuevos módulos de memoria permitiría a los servidores empresariales de próxima generación reducir el consumo y a la vez aumentar el rendimiento del sistema. Estos chips de memoria DDR4 ofrecen una tasa de transferencia de 2.667 megabits por segundo, más de un 25% superior a los chips DDR3 fabricados a 20 nm y con un consumo un 30% inferior. -
Video Informativo
