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2015 BCE
DDR4
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2007 BCE
DDR3 – 1066
Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s. -
2007 BCE
DDR3 – 1333
De las primeras memorias clasificadas como de “Low-Latency” con velocidades de transferencia de 10.667 GB/s @ 1333 MHz -
2007 BCE
DDR3 – 1800
Velocidad de transferencia 14.40 GB/s @ 1800 MHz -
2004 BCE
PC3200 – DDR400
Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s. -
2004 BCE
PC4200 – DDR533
Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s. -
2004 BCE
DDR3 – 800
Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s. -
2002 BCE
PC2100 – DDR266
Velocidad de transferencia 2133 MB/s -
2001 BCE
DDR-SDRAM
Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB -
1999 BCE
PC133
La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s -
1998 BCE
PC100
La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s -
1997 BCE
BEDO-RAM
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM -
1997 BCE
SDR SDRAM
Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. -
1994 BCE
EDO-RAM
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). -
1990 BCE
FPM-RAM
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos los más rápidos y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz