-
200
DDR
Su característica principal es que está sincronizada y funciona enviando datos con redundancia en cada ciclo de reloj. Esta nueva memoria solo cuenta con una muesca y 184 contactos de conexión con la tarjeta madre, además ofrece una velocidad entre 200 y 600MHZ. -
MEMORIA DE NÚCLEOS MAGNÉTICOS
Este dispositivo de memoria se basa en la propiedad que poseen los toros o anillos de ferrita de crear un campo magnético cuando son atravesados por un conductor por el cual se hace pasar una corriente eléctrica, el sentido el campo magnético dependerá del sentido de la corriente según la regla de la mano derecha. -
MEMORIA DRAM
Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. -
EDO-RAM
un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.
Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer.
. -
MEMORIA RAMBUS
esta puede ofrecer velocidades entre 600 y 1066MHz. Tiene 184 contactos, cada uno de estos funciona como un módulo. En su tiempo, a nivel de rendimiento, era una de las mejores RAM, pero su principal desventaja es que era un componente muy costoso, y al momento de expandirse masiva mente no tuvo el éxito que se esperaba debido a que su alto costo redujo su número de compradores. -
BEDO-RAM
Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. -
SO-DIMM
Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos. -
DDR2
Un ejemplo de ello es la DDR2, a la cual se le realizaron una serie de cambios que permitieron mejorar su rendimiento. Con respecto a la anterior memoria, la muesca de la DDR2 se ubica a dos milímetros hacia la izquierda. Adicionalmente, otra de sus características es que cuenta con 240 contactos y puede trabajar a velocidades entre 400 y 800MHz. -
DDR3
Como remplazo a la DDR2 nace la memoria RAM DDR3, una de las más utilizadas gracias a que su velocidad de transferencia de datos era mucho mayor, incluso el doble que la DDR2, y el consumo de energía era menor. -
DDR4
De la generación de las DDR encontramos también la memoria DDR4, la cual ofrece un mayor rendimiento con un menor consumo de energía de hasta el 40%, y un ancho de banda de hasta 50%. Por otro lado, su velocidad mínima de datos por pin es de 1,6 Gb y la máxima inicial de 3,2 GB.
