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ROM (Read-only memory)
También llamada Mask ROM.
Esta memoria era grabada una única vez y no era posible modificar los datos almacenados.
Se utilizaba el método conocido como "Mask programmed" para grabar la información.
Tiempo de lectura: Mayor a 120 ns
Vida útil: ilimitada -
PROM (Programmable read-only memory)
Inventada por Wen Tsing Chow en American Bosch Arma Corporation.
Mecanismo de programación: Se queman los fusibles a los que se les desea dar el valor de 0.
Mecanismo de borrado: Esta memoria no podía ser borrada. -
EPROM (Erasable and Programmable Read-Only Memory)
Inventada por Dov Frohman en Intel.
Mecanismo de programación: La carga electorstática queda atrapada en la celda del trasistor. Se coloca carga en el "floating gate" para almacenar 1.
Mecanismo de borrado: Para borrar se utiliza luz ultravioleta.
Tiempo de lectura: Mayor a 150 ns
Tiempo de escritura: 0.5 ms/byte
Tiempo de borrado: 20 mins. aproximadamente
Vida útil: 10 años -
EEPROM (Electrically Erasable and Reprogrammable)
Inventada por George Perlegos en Intel.
Mecanismo de programación: "Hot electron injection"
Mecanismo de borrado: Borra datos con carga de voltaje. Utiliza el efecto "tunneling" que transporta electrones en la capa aislante cuando se borra.
Tiempo de lectura: 200 ns
Tiempo de escritura: Mayor a 100 milisegundos
Tiempo de borrado: 1 s
Vida útil: 10 años -
Memoria Flash
Inventada por Fujio Masuoka en Toshiba
Mecanismo de programación: La carga sobre la "floating gate" estalla sobre la capa de ONO (oxinitruro de silicio) por medio de electrones de tunelización.
Mecanismo de borrado: "Tunneling". Se borra por bloques.
Tiempo de lectura: 35 ns
Tiempo de escritura: 5 ms
Tiempo de borrado: 5 ms
Vida útil: 10000 ciclos (10 años aproximadamente)
