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Evolucion de las Memorias RAM

  • MEMORIA FLASH

    MEMORIA FLASH
    Es una memoria no volátil usada en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías, como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio, o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, está basada en NOR y NAND.
  • FPM RAM

    FPM RAM
    La FPM-RAM se basa en que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que en ese caso se ahorra tiempo. Actualmente aparece con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos, las más rápidas, y 70 nanosegundos, las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium, con unas velocidades de bus de 66Mhz, con procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz, es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la CPU.
  • EDO RAM

    EDO RAM
    De las siglas en inglés Extended Data Output-RAM, RAM de salida de memoria extendida, evoluciona de la Fast Page. Permite empezar a introducir nuevos datos mientras que a su vez los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (aproximadamente un 5%). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, su velocidad es de 70, 60 o 50 ns. Aunque existe en forma de DIMMs de 168 contactos, usualmente se instala sobre todo en SIMMs de 72.
  • RAMBUS PC600

    RAMBUS PC600
    Tiene una velocidad de transferencia 1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s a 266MHz.
  • PC600 RAM

    PC600 RAM
    Con una velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, y temporización de 15 ns, ofrece además unas tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.
  • BEDO-RAM

    BEDO-RAM
    Siendo una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato en una dirección de memoria, se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo así los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA de 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO-RAM no puede funcionar por encima de los 66 MHz.
  • SDR SDRAM

    SDR SDRAM
    Es una memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal con los otros modelos, radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un nuevo acceso mientras la otra mitad termina el anterior.
  • PC 100 RAM

    PC 100 RAM
    Con una velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, y con una temporización de 8 ns, ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.
  • RAMBUS PC 800

    RAMBUS PC 800
    Tiene una velocidad de transferencia 1.6 GB/s por canal, que hacen en conjunto 3.2 GB/s a 400 MHz.
  • PC 133 RAM

    PC 133 RAM
    Tiene una velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.
  • ESDRAM

    ESDRAM
    Incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM, con ello, las peticiones de ciertos programas son resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales. Su velocidad de transferencia de la información es de 1.6 GB/s a 133MHz, hasta 3.2 GB/s a 150 MHz.
  • RAMBUS PC700

    RAMBUS PC700
    Tiene una velocidad de transferencia 1.42 GB/s por canal, los cuales hacen en total 2.84 GB/s a 356 MHz.
  • DDR SDRAM

    DDR SDRAM
    Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, el cual permite la transferencia de datos por dos canales distintos en un mismo ciclo de reloj simultáneamente. Ambos módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia alguna entre la arquitectura de los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz), y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz).
  • PC2100-DDR 266 RAM

    PC2100-DDR 266 RAM
    Velocidad de transferencia de 2133MB/s, posee una tecnología de memoria RAM DDR, que trabaja a una frecuencia de 333 MHz, con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.
  • PC4200-DDR533

    PC4200-DDR533
    Tienen unas tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia, ya son consideradas DDR2 y poseen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz, y además posee una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s.
  • PC6400-DDR 800 RAM

    PC6400-DDR 800 RAM
    Esta memoria RAM posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso es incompatible con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabaja a un voltaje de 1.5V, mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de un menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de datos a 100MHz, y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.
  • DDR-1800 RAM

    DDR-1800 RAM
    Esta RAM tiene una velocidad de transferencia 14.40 GB/s a 1800 MHz.
  • DDR3-1066 RAM

    DDR3-1066 RAM
    Esta tecnología de memoria RAM DDR3 trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.
  • DDR3-2000

    DDR3-2000
    Esta memoria Ram con una tecnología DDR3, posee una velocidad de transferencia 16.0 GB/s a 2000 MHz.
  • DDR4 SDRAM

    DDR4 SDRAM
    Tiene una mejora en la velocidad de transferencia a 4266 Mhz y una capacidad de memoria de 8 Gb/s - 32 Gb/s.
  • PATRIOR DDR5 SDRAM SIGNATURE

    PATRIOR DDR5 SDRAM SIGNATURE
    Las DDR5 Signature de Patriot están diseñadas para brindar un alto y significativo rendimiento. Son de bajo consumo, 1,1volts lo cual reduce el calor a pesar de su alta frecuencia de 4800 Mhz.
    Ofrecen además una mejora energética gracias a su IC (PMCI) integrado que proporciona un mejor control y regulación de voltaje local y una mayor protección, monitoreo simultaneo, voltaje inteligente y administración de energía que soporta un mayor ajuste de tensión y rangos de ajuste más amplios.