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ROM (Read Only Memory)
Wen Tsing Chow, trabajador de Maerican Bosch Arma Corporation inventa la memoria ROM. Esta es utilizada para conservar información almacenada sin necesidad de energía. Se programa durante la fabricación con el método "Mask Programmed" aproximadamente en 100 nanosegundos y es muy grande en comparación con la DRAM (50ns) o RAM estática (10ns) -
PROM (Programmable Read Only Memory)
Inventada también por Wen Tsing Chow. Esta memoria permitía que el usuario la modificar a una vez, se cambiaba físicamente su contenido al aplicarle puslos de voltaje con el método "Fusible-link". -
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)
Es un tipo de memoria sólo de lectura programable y borrable inventada por Dov Frohman (Intel). La grabación de datos era por carga eléctica y se podía borrar al exponerlo a rayos ultravioleta. Su programación era lenta y el borrado era tardado. Los datos pueden ser grabados por 10 años o más. -
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)
Inventada por George Perlegos (Intel) y es un tipo de memoria ROM que puede reprogramar su contenido al recibir contenidos externos. Esta operación se realiza por medio de pulsos eléctricos.
Los datos se borra por los mecanismos Tunneling y tarda aproximadamente 1 segundo. El tiempo de escritura menor a 100 micro segundos y el tiempo de lectura es 200ns.
Puede ser leída ilimitadas veces pero puede ser borrada y reprogramada unas 100,000 veces. -
Flash
Un tipo de memoria EEPROM creada por Fujio Masuoka (Toshiba) que permite eliminar y reprogamar la información mediante pulos eléctricos sin sufrir daños.
Se borra por bloques entr 1 y 1024 bytes y su vida útil es de unos 10,000 ciclos. La programación es por medio del método Tunneling al igual que el borrado. para borrar demora 5ms, igual que para escribir. Para leer tarda 35ns.
