Hp hp9000 710 workstation 10

Evolución de la ROM

By davidsanchinelli

  • EPROM

    EPROM
    Dov Frohman de Intel desarrolla la familia EPROM (ERASABLE AND PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY), las cuales empiezan a almacenar informacion que se modifica con poca frecuencia.
    Borrado: Luz UV.
    Programacion: Hot electron injection.
    Tiempo de Borrado: 20 minutos, borra todo.
    Acceso: 200 ns.

  • EEPROM

    EEPROM
    George Pelegos de Intel desarrolla la memoria EEPROM (ELECTRICALLY ERASABLE AND REPROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY), donde ahora permite borrar con un nuevo mecanismo de tunneling, y a una mucha mayor velocidad.
    Borrado: Tunneling.
    Programacion: Hot electron injection.
    Tiempo de Borrado: 1 s, borra todo o un sector.
    Acceso: 200 ns

  • FLASH

    FLASH
    Fujio Masuoka de Toshiba desarrolla la memoria EEPROM Flash (ERASABLE AND PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY), las cuales revolucionan la EEPROM con su mecanismo de programacion que estalla la capa ONO con electrones de tunelizacion.
    Borrado: Tunneling.
    Programacion: Tunneling.
    Tiempo de Borrado: 5 ms, borra byte.
    Acceso: 35 ns