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Memoria ROM por Thosiba
La memoria ROM, por sus siglas en inglés, representa memoria de solo lectura. Las primeras ROM eran programadas solo una vez y no se podian modificar. Se conocian también como MROM ya que la técnica en la que se programaban se llamaba masked programming. Es no volátil -
PROM por Wen Tsing Chow
Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROM, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos. -
EPROM por Dov Frohman
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory . Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). -
EAROM
Estas se borran eléctricamente, mediante impulsos siempre idénticos para todas las celdas de memoria. Es importante observar que las EA-ROM, debido a que su tiempo de lectura y escritura difieren bastante (un milisegundo para la escritura y un microsegundo para la lectura), sólo se utilizan cuando basta con memorizar un número reducido de parámetros de vez en cuando pero con poca frecuencia. -
EEPROM
Las memorias de tipo EEPROM es un derivado de la memoria sd. Es un dispositivo en forma de tarjeta, que se encuentra orientado a realizar el almacenamiento de grandes cantidades de datos en un espacio reducido, permitiendo la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación tienen como principal cualidad. -
Memoria Flash por Fujio Masuoka
Tiene vida útil de 10,000 ciclos. Se programa y se borra información por "tunneling". Sus ventajas son de que el tiempo pra borra información es significativamente menor a las anteriores, además que se puede borrar información por Bytes y también el tiempo de acceso a la información es mas pequeño. Puede construir por compuertas NOR (en paralelo) ó con NAND (en serie).
