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El primer chip de memoria RAM
La primera patente de Dynamic Random-Access Memory. Esta patente fue registrada por Robert Dennard, ingeniero de IBM. El chip original era una célula de memoria que consistía en un transistor y condensador que estaban emparejados. -
Intel lanza la SRAM o memoria RAM estática
Se trataba de un chip SRAM (Static Random Access Memory). La memoria SRAM requiere energía constante para contener información. El consumo de energía varía dependiendo de las veces que accedamos a la memoria. -
Intel lanza la primera DRAM
Es un tipo de tecnología de memoria de acceso aleatorio basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco. -
Memoria RAM tipo SIIP
SIPP es el acrónimo de Paquete de Pines en Línea Simple, consiste en un circuito impreso en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa. Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporciona 8 bits por módulo. Se usó en sistemas 80286 y fueron reemplazadas por las SIMM. -
Wang Laboratories crea el módulo SIMM
Este módulo era una placa con circuito impreso en la PCB donde se montaban las memorias DRAM. El módulo se insertaba en un slot de la placa base. Los pines o contactos de ambas caras estaban interconectados. El motivo de la creación del módulo SIMM residía en la necesidad de proteger las placas base, ya que las memorias RAM iban soldadas. De este modo, nacieron los módulos SIMM, los cuales permitían la extracción e instalación de manera sencilla. -
Memoria Flash
Es un medio de almacenamiento de memoria de computadora electrónico no volátil que se puede borrar y reprogramar eléctricamente. Los dos tipos principales de memoria flash, NOR flash y NAND flash, reciben su nombre de las puertas lógicas NOR y NAND. Permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. -
La FPM-RAM
La FPM-RAM (Fast Page Mode RAM) fue inspirada en técnicas como el Burst Mode usado en procesadores como el Intel 486. Se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. -
La EDO-RAM
La EDO-RAM (Extended Data Output RAM), permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo, lo que la hace algo más rápida.
Esto acelera los tiempos de acceso para obtener datos de la memoria, ya que la CPU no tiene que esperar a que finalice un ciclo de acceso a datos para iniciar otro. -
La BEDO-RAM
Es una evolución de la EDO RAM. Lee los datos en ráfagas, una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. -
La SDRAM
La memoria DRAM síncrona (SDRAM) es una DRAM que funciona en sincronización con el bus de memoria. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. -
SDR SDRAM
SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM. Las memorias SDR SDRAM son memorias síncronas, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fueron utilizadas en los microprocesadores Pentium II, Pentium III, así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. -
La Rambus DRAM
La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, este es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM. Supuso cambios en una serie de decisiones de diseño que buscan porcionar un alto ancho de banda y solucionan los problemas de granularidad y número de pines. Este tipo de memoria se utilizó en la videoconsola Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida, como la PlayStation 2. -
DDR SDRAM
La DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 1990. DDR permite a ciertos módulos de memoria RAM compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, la capacidad de transferir simultáneamente datos por dos canales distintos en un mismo ciclo de reloj. -
DDR2 SDRAM
La DDR2 SDRAM (Double Data Rate type two SDRAM) funcionan con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional. Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR, hace que los búferes de entrada/salida funcionen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. -
DDR3 SDRAM
La DDR3 SDR (Double Data Rate type three SDRAM) es la sucesora de la DDR2 SDRAM, su principal beneficio sobre su predecesor, es la habilidad para transferir datos al doble de la velocidad, mejorando el ancho de banda. Los DDR3 tienen 240 pines al igual que DDR2 pero los DIMM son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. La DDR3 duplica el mínimo de lectura o escritura en la unidad a 8 bits por ciclo. -
DDR4 SDRAM
La DDR4 SDRAM (Double Data Rate type four SDRAM) tienen un total de 288 pines DIMM. La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 Gb hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 Gb. Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras. Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones anteriores. Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos. -
DDR5 SDRAM
La DDR5 SDRAM (Double Data Rate type five SDRAM) es la 5ta generación de la Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona de doble velocidad de datos. DDR5 aumenta la densidad, el ancho de banda y las frecuencias de trabajo. Esto supone una reducción de los tiempos de acceso a la memoria. Una de las principales fortalezas de DDR5 reside en que integra la tecnología ECC. Dicha tecnología sirve para la detección y corrección de errores en los datos antes de ser suministrados a la CPU. -
DDR6 SDRAM
Todavía no se conoce mucha información acerca de esta RAM, pero Samsung estima su lanzamiento para el año 2029.