Evolución de la memoria RAM

DDR3 – 1066

2007 BCE

Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.

DDR3 – 1600

2007 BCE

Velocidad de transferencia de la información: 12.80 GB/s, 1600 MHz

PC6400 – DDR800

2004 BCE

Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.

PC5300 – DDR667

2004 BCE

Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.

PC4800 – DDR600

2004 BCE

Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.

PC4200 – DDR533

2004 BCE

Velocidad de transferencia: Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s.

DDR3 – 800

2004 BCE

Velocidad de transferencia: Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca está ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.

PC3200 – DDR400

2004 BCE

Velocidad de transferencia: Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.

PC2100 - DDR333

2003 BCE

Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.

PC2100 - DDR266

2002 BCE

Velocidad de transferencia: 2133 MB/s

PC1600 DDR 200

2001 BCE

Velocidad de transferencia: 1600 MB/s

RDRAM

1999 BCE

También llamadas Rambus se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16 - bit
RAMBUS PC600
RAMBUS PC700
RAMBUS PC800

BEDO-RAM

1997 BCE

Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.

EDO-RAM

1995 BCE

Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

FPM-RAM

1988 BCE

Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486, se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas.

SIMM

1978 BCE

El formato SIMM elimino los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes impresos similares a los de de las tarjeta de expansión tienen la misma distribución de pines.

MK4096

1973 BCE

MOSTEK lanzo la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines.

Twistor Memory

1969 BCE

Basada en semiconductores de silicio por parte de intel con el integrado 2101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presento una memoria DRAM de 1 Kilobyte.
1969 - 1970

Memoria de núcleo magnético

1949 BCE

A diferencia de la RAM basada en tecnologías DRAM, se basa en las propiedades magnéticas de su componente activo, el núcleo de ferrita y era una memoria no volátil.
1949-1952