-
Dynamic Random Access Memory
1er chip de memoria Ram registrada por Robert Dennard. Consistía en un transistor y condensador emparejados. El condensador almacena un sólo bit de datos binarios y una carga eléctrica; el transistor lee y refresca la carga miles de veces por segundo. -
SRAM o memoria RAM estática
Lanzada por Intel con un tamaño de 256bits. Se comercializa hasta 1995, obteniendo un máximo de 256 MB de capacidad -
Memoria DRAM
Lanzada por Intel, tendria 1Kb de capacidad -
Memoria SIM (Single In - line Memory Module
Modulo creado por Wang Laboratories. Surgen para la extraccion e instalacion de manera sencilla -
SDRAM / SDR
Introducidas al mercado por Samsung para sustituir los tipos de memoria DRAM -
DDR (Double Data Rate)
Tamaño maximo de 1Gb. Utiliza el límite máximo y mínimo del reloj del sistema, doblando la velocidad de la memoria. Fue una tecnología que se utilizaba en memoria RAM, como en tarjetas gráficas -
RDRAM
Creada por Rambus y fabricada por Samsung. Ofrecía un ancho de banda de memoria (teórica) de 1.6 GB/s -
Memoria eDRAM
Lanzada por Sony y Toshiba. El objetivo eran las videoconsolas (PS2, Xbox 360, PSP, GameCube, Wii) Inicialmente, se comercializaba en 32 MB, pero NEC llegó a fabricar eDRAM con 80 MB -
Memoria DDR2
Lanzada por Samsung. Era una memoria SDRAM que venía en módulos DIMM. Su evolución tenía que ver con la frecuencia y el voltaje: menos energía y una velocidad más alta. -
DDR3
Comercializada por Samsung. La capacidad de estas memorias partiría de los 512 MB. Sustituía a DDR2 mejorándola. Tenia módulos de 4 GB, 8 GB y 16 GB por unidad. Se reducía el voltaje hasta 1.35V y se aumentaba la frecuencia hasta llegar a los 2113 MHz. -
DDR4
Avances: Desde 2133 MHz hasta 4.800 MHz de frecuencia.
Un voltaje desde 1.15V hasta 1.35V. -
DDR5
Las frecuencias partirán desde los 3200 MHz. La capacidad por módulo será de 8 GB como mínimo, hasta 64 GB. También, mejoró el voltaje: 1.1V.