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Tubo Williams
Primera Memoria Ram. Estaba basada en tubos de vacío y almacenar electrónicamente datos binarios. -
Primera Memoria Ram
Fue inventada en el año 1947 por John von Neumann. La llamó «carrusel» Fue usada como parte del proyecto ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer). Se basaba en tecnología de tubos de vacío y mercurio. Estaba formada por tubos de vacío y mercurio en tubos de vidrio que se utilizaban para almacenar y cambiar los valores binarios de los bits de datos. -
Memoria de Nucleo Magnetico
Se utilizó ampliamente en las computadoras de esa época. Fue inventada en la década de 1950 y se basaba en pequeños núcleos magnéticos que se podían magnetizar o desmagnetizar para representar bits de información -
Memoria DRAM
La memoria dinámica fue desarrollada en los laboratorios de IBM. El chip consistía de un transistor y condensador que solo almacenaba un bit de datos binarios La invención de esta última la hizo Robert Dennard. -
Memoria Ram Estatica
Basadas en semiconductores de silicio. Fueron desarrolladas por Intel. Estos chips contienen una matriz de celdas de memoria que almacenan datos en forma de cargas eléctricas.
Cada celda de memoria almacena un solo bit de información y está formada por transistores y condensadores. Los transistores se utilizan para acceder y modificar los datos almacenados en las celdas de memoria -
MK4096
MOSTEK lanza la referencia MK4096 de 4096 bites, permitiendo miniaturizar los chips de DRAM en un empaque de 16 pines, mientras su competencia las fabricaba en el empaque DIP de 22 pines, para finales de los 70 este chip era utilizado por la mayoria de computadores en la epoca -
SIMM
Wang Laboratories crea el modulo SIMM (Single In-Line Memory Module). Es un formato para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se insertan en zócalos encima de la placa base. -
RDRAM
Rambus DRAM. Es un tipo de memoria RAM desarrollada por la empresa Rambus Inc. en la década de 1990. La RDRAM fue diseñada para ser una alternativa de alto rendimiento a la memoria DRAM convencional. Este tipo de memoria se utilizó en la videoconsola Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida, como la PlayStation 2. -
SDRAM
Samsung fabricó el primer módulo de SDRAM (Synchronous DRAM) que se sincroniza con el procesador y puede acatar una orden de lectura antes de haber terminado una de escritura (pipelining). Desde 1993 hasta ahora se utiliza en PC y consolas. -
DDR
Samsung es la primera empresa que creó por primera vez el prototipo de memoria DDR en 1997.
Double Data Rate, son capaces se realizara dos tareas de escritura y dos de lectura por cada ciclo de reloj de su controlador. El primer módulo que tendría esta memoria RAM tendría un tamaño de 64 MB, el DDR utiliza el límite máximo y mínimo del reloj del sistema, doblando la velocidad de la memoria. -
DDR2
Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida funcionen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. -
DDR3
DDR3 SDRAM (Double Data Rate type three Synchronous Dynamic Random-Access Memory). La capacidad de estas memorias partiría de los 512 MB, la cual sustituía a la DDR2 mejorándola en todos los aspectos. -
DDR4
DDR4 (Double Data Rate type four Synchronous Dynamic Random-Access Memory)
En 2014, las primeras memorias DDR4 SDRAM fueron lanzadas al mercado, junto a chipsets y placas base compatibles. En el primer trimestre de 2015, los primeros teléfonos móviles con memoria LPDDR4 fueron presentados, siendo estos el Samsung Galaxy S6, su variante S6 Edge, el ASUS Zenfone 2 y el LG G Flex 2. -
DDR5
DDR5 SDRAM (Double Data Rate type five Synchronous Dynamic Random-Access Memory). Nos ofrecen un rendimiento más alto que las anteriores, así como una mayor escalabilidad y eficiencia energética
El primer chip DDR5 del mundo fue lanzado oficialmente por SK Hynix el 6 de octubre de 2020.