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Primer Chip de memoria RAM
Primera patente de Dynamic Random-Access Memory, fue registrada por Robert Dennard, ingeniero de IBM. El chip original era una célula de memoria que consistía en un transistor y condensador que estaban emparejados. El condensador almacena un sólo bit de datos binarios y una carga eléctrica; el transistor lee y refresca la carga miles de veces por segundo. -
Intel lanza la SRAM o memoria RAM estática
La llegada de la memoria RAM estática llega justo con el primer lanzamiento de la empresa Intel: el 3101 Schottky TTL bipolar 64-bit. Se trataba de un chip SRAM (Static Random Access Memory). La memoria SRAM requiere energía constante para contener información.
Esta SRAM que lanza Intel tendría un tamaño de 256 bits, aunque IBM ya había sacado un chip con una capacidad de 512 bits. Este tipo de memoria RAM se comercializaría hasta 1995, obteniendo un máximo de 256 MB de capacidad. -
Wang Laboratories crea el módulo SIMM
Este módulo era una placa con circuito impreso en la PCB donde se montaban las memorias DRAM. El módulo se insertaba en un slot de la placa base. Los pines o contactos de ambas caras estaban interconectados, cosa que cambia en los módulos DIMM.
El motivo de la creación del módulo SIMM residía en la necesidad de proteger las placas base, ya que las memorias RAM iban soldadas -
FPM-RAM
En la actualidad estas memorias RAM cuentan con dos velocidades de acceso, sesenta nanosegundos las más rápidas y las más lentas con setenta nanosegundos. En el caso de los sistemas que se encuentran basados en procesadores de tipo Pentium con velocidades de sesenta y seis Mhz, se requiere de una memoria FPM-RAM de sesenta nanosegundos y así, no ocasionar estados de espera en el ordenador. -
Samsung introduce la SDRAM y el SDR
Samsung fabricó el primer módulo de SDRAM (Syncrhonous DRAM o DRAM síncrona) de la historia, que era un tipo de memoria que se sincronizaba a ella misma con la frecuencia del sistema. Esta sincronización permitía a la memoria funcionar a velocidades más altas que los otros tipos de memoria. Esto suponía soportar una frecuencia de hasta 133 MHz. -
SDR SDRAM
Es una tarjeta dinámica que cuenta con acceso síncrono de tasa de datos simples. Este tipo de memorias se conectan al reloj del sistema. Es diseñada especialmente para leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso. Esto indica que, esta tarjeta no cuenta con estados de espera.
Está además cuenta con tiempos de acceso de que van desde los veinticinco y los diez nanosegundos. -
EDO-RAM
Este tipo de tarjetas, le ofrece a los usuarios la capacidad de introducir nuevos datos mientras que los datos antiguos están saliendo. Lo que ocasiona, que sea un cinco por ciento más rápida. Esta tarjeta es muy común en los procesadores Pentium MMX y AMD K6. Con una velocidad de setenta, sesenta o cincuenta nanosegundos.
En cuanto a la velocidad de transferencia de estas tarjetas es de trescientos veinte MB/S. -
Nace el DDR
Samsung fue la pionera con el SDR y volvería a serlo con el DDR (Double Data Rate). El DDR utiliza el límite máximo y mínimo del reloj del sistema, doblando la velocidad de la memoria. -
BEDO-RAM
Pertenece a la evolución de la tarjeta EDO RAM y se considera una competidora de la SDRAM. Características: esta tarjeta tiene la capacidad de leer los datos en ráfagas, indica que una vez que se accede a un determinado dato de una posición determinada, esta va a proceder a leer los siguientes tres siguientes datos en un único ciclo de reloj por cada uno de estos. Esto garantiza un menor tiempo de espera en el procesador. -
Rambus lanza la RDRAM y el módulo RIMM
Destaca el lanzamiento de esta memoria que ofrecía un ancho de banda de memoria (teórica) de 1.6 GB/s. Era una memoria más cara que la SDRAM.
Surgieron los módulos RIMM de RDRAM. Básicamente, era una marca creada por Rambus que reensamblaba los módulos DIMM.
Estos módulos tenían un problema: requerían señal continua. Si había un slot de memoria vacío, el PC no funcionaba bien. Esto se solucionaba utilizando módulos C-RIMM. -
Sony y Toshiba lanzan la eDRAM
El coste por bit era mucho mayor que los chips DRAM, pero ofrecía grandes beneficios de rendimiento. Integrar la memoria en el ASIC o procesador permitía unos buses más anchos y unas operaciones con más velocidad.
Los costes de producción eran elevados porque requerían más fases de producción que una simple DRAM. Este tuvo un objetivo claro: las videoconsolas. La vimos en la PS2, Xbox 360, PSP, GameCube, Wii e, incluso, en el iPhone. También, fue usada en procesador Intel e IBM. -
Samsung crea la memoria DDR2
El DDR2 era una memoria SDRAM que venía en módulos DIMM cuya evolución tenía que ver con la frecuencia y el voltaje: menos energía y una velocidad más alta. Se introdujo al mercado en el segundo trimestre de 2003 a 2 velocidades: 200 MHz y 266 MHz. Inicialmente, eran peores que las DDR porque tenían más latencia. Las primeras memorias fueron fabricadas por Samsung, Hynix y Elpida. En 2003, vimos memorias DDR2 de hasta 1 GB de capacidad. -
Samsung comercializa el DDR3
La capacidad de estas memorias partiría de los 512 MB. La RAM DDR3 trajo una evolución importantísima: módulos de 4 GB, 8 GB y 16 GB por unidad. No sólo eso, se reducía el voltaje hasta 1.35V y se aumentaba la frecuencia hasta llegar a los 2113 MHz. Frecuencias: desde 1066 MHz hasta 2133 MHz en escritorio. Se llegaron a ver memorias DDR3 con una frecuencia de hasta 3300 MHz.
Voltaje: entre 1.35V y 1.5V.
Latencia: como mínimo, CL9; como máximo, CL16.
Tamaño máximo por módulo: 16 GB. -
Samsung lanza DDR4
Fue desarrollado por Hynix desde 2011, pero Samsung fue quien las lanzó al mercado en 2014. De hecho, Samsung lanza un módulo de 2 GB DDR4 con una frecuencia de 2.133 MHz para testarlo. Los avances que trajo este tipo de memoria hablan por sí solos:
Desde 2133 MHz hasta 4.800 MHz de frecuencia.
Un voltaje desde 1.15V hasta 1.35V. -
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Samsung y Micron empiezan a fabricar DDR5
Respecto a cuáles serán sus especificaciones técnicas, ciertas fuentes afirman que las frecuencias partirán desde los 3200 MHz. Según SK Hynix, la velocidad máxima de las memorias DDR5 serán 8400 MHz. Este fabricante anunció que la capacidad por módulo será de 8 GB como mínimo, hasta 64 GB. También, mejoró el voltaje: 1.1V. Con todo esto, el problema de la latencia será mayor porque ya hemos dicho que a más de 3.800 MHz se dispara a CL19, imaginad a 8400 MHz.