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Flash Memory
Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Las más comunes actualmente tienen una velocidad de transferencia de ~20 MB/s, aunque la nueva generación de tarjetas permitirá velocidades de hasta 30 MB/s. -
FPM-RAM
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos los más rápidos y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la CPU. Velocidad de transferencia: 200 MB/s. -
EDO-RAM
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. Velocidad de transferencia: 320 MB/s. -
BEDO-RAM
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos,reduciendo los tiempos de espera del procesador. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz. Velocidad de transferencia: 533 MB/s hasta 1066 MB/s. -
SDR-SDRAM
Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. -
PC66
La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s. -
PC100
La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s. -
PC133
La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s. -
DDR-SDRAM
Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. El número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado. -
PC1600-DDR2
Velocidad de transferencia: 1600 MB/s -
PC2100-DDR266
Velocidad de transferencia: 2133 MB/s -
PC6400-DDR400 a DDR800
Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa detransferencia máxima de 2.7 GB/s.
Fue incrementando la capacidad del tama;o conforme pasaron los meses hasta obtener una capacidad maxima de 6.4 GB/s. -
DDR3 – 800 a 2000
Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muescaesta ubicada en un lugar diferente.
Conforme pasaron los a;os fueron incrementando su capacitada hasta llegar a los 16 Gb/s. a 2000 MHz
2004 - 2008 -
DDR4
Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM.23 La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 Gb hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 Gb.4 Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras.5 Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones anteriores.
