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Núcleo Magnético
Esta memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Se utilizaba en las computadoras VAX. -
Memoria RAM con semiconductores de silicio
Fue lanzada por INTEL con el integrado 3101 de 64 bits de memoria. -
DDR SDRAM
La capacidad de transferir simultáneamente datos por dos canales distintos en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes). -
Memoria DRAM
Contaba con 1024 bytes, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. Tenía un mayor desempeño que el núcleo magnético. -
DDR2 SDRAM
Permiten que los búferes de entrada/salida funcionen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias -
MOSTEK MK4096
Esta memoria fue una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos. -
Módulos de memoria
Se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines. -
Flash Memory
Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND.
La velocidad de transferencia de estas tarjetas es de 20 MB/s, aunque la nueva generación de tarjetas permitirá velocidades de hasta 30 MB/s -
FPM-RAM
Cuenta con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz, es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.
La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. La velocidad de transferencia es de 200 MB/s. -
EDO RAM
Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo, lo que la hace algo más rápida. Es muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. La velocidad de transferencia 320 MB/s. -
BEDO RAM
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. La limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz. Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s -
SDR SDRAM
Este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa. -
RDRAM
También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit. -
ESDRAM
Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales. Velocidad de transferencia de la información: Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s @ 150 MHz. -
DDR-SDRAM
Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.
El DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado. -
DDR3
Debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y tensiones. Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras portátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR3 -
DDR4 SDRAM
La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s.4
Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras.
