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Robert Norman patentó un diseño de RAM estática semiconductora en Fairchild
Fue utilizado por IBM como la celda Harper. -
Desarrollo cooperativo entre Scientific Data Systems, Santa Monica, CA y Signetics produjo un dispositivo bipolar de 8 bits completamente decodificado
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Ingenieros de la División de Componentes Ben Agusta y Paul Castrucci desarrollaron el SP95, una RAM de 16 bits para IBM. System / 360 Model 95.
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Period: to
Dominio de la tecnología DRAM
Durante esta época la DRAM es el estandar de la industria, cada año se dan mejoras significativas en capacidad, velocidad y eficiencia. -
LAS RAM DE SEMICONDUCTORES SATISFACEN LAS NECESIDADES DE ALMACENAMIENTO DE ALTA VELOCIDAD
LAS RAM BIPOLARES INGRESAN AL MERCADO DE LAS COMPUTADORAS PARA APLICACIONES DE MEMORIA CACHÉ Y SCRATCHPAD DE ALTO RENDIMIENTO. -
IBM en East Fishkill, Nueva York, se produjo un dispositivo de 128 bits para el envío de 1971 del System / 370 Modelo 145, la primera computadora comercial de la compañía que empleó memoria principal de semiconductores.
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Bill Herndon de Fairchild diseñó una memoria TTL rápida de 256 bits.
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IBM Desarrolla la HSDRAM
Tiene un proceso de fabricación de 1000 nm. -
SDRAM DEG
Manufacturada por Samsung -
Hitachi desarrolla SGRAM (SDR)
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Samsung Electronics presenta SGRAM DDR de 16M superrápidos.
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GDDR o GDDR1
Funcionaba según el estándar DDR, enviando dos bits por cada ciclo de reloj, pero en este caso los módulos de memoria GDDR se optimizaron para lograr altas frecuencias de reloj acortando los tiempos de acceso de las células de memoria en comparación con la memoria DDR convencional. -
Samsung desarrolla primer prototipo de RAM DDR2.
En 2003 se les otorga el premio de reconocimiento técnico por los esfuerzos de la compañía en el desarrollo y estandarización de DDR2. -
GDDR2
Las memorias GDDR2 fueron realmente una pequeña optimización de GDDR llegando a una capacidad máxima de 1 GB, obtuvieron más frecuencia real, y a pesar de funcionar con un intervalo de voltaje entre 1,8 a 2 voltios, las memorias GDDR2 llegaron a tener serios problemas de calentamiento. -
ATI Technologies crea la memoria GDDR3.
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Samsung desarrolla primer prototipo de RAM DDR3.
En 2008 Kingston lo comercializa. -
GDDR4
La ATi Technologies Radeon X1950 XTX es la primera tarjeta gráfica en incorporar esta tecnología. -
GDDR5 es revelado por Samsung Electronics
Anunciaron que producirían GDDR5 en masa a partir de enero de 2008. -
Samsung desarrolla el primer modulo DIMM DDR4 de 2133Mhz
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Samsung comienza oficialmente la producción masiva de memoria GDDR6.
Alcanza velocidades de hasta 18 Gbps y 16 Gb de densidad para producir tarjetas gráficas de alta gama con hasta 24 GB de VRAM y 864 GB / s de ancho de banda.
