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Núcleo magnético
Esta memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio. -
SRAM
Intel lanza la primera SRAM
Se trataba de un chip SRAM (Static Random Access Memory). La memoria SRAM requiere energía constante para contener información. El consumo de energía varía dependiendo de las veces que accedamos a la memoria. -
DRAM
La DRAM (Dynamic Random Access Memory) es dinámica, al contrario que la SRAM. Las células que guardan la información son refrescadas con nueva electricidad cada “X” milisegundos para que la memoria RAM mantenga su información. -
SIMM
Wang Laboratories crea el módulo SIMM, Consiste en una serie de chips montados en un circuito de placa impresa -
FPM-RAM
La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso más rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos consecutivos. Velocidad de transferencia
200 MB/s. -
SDR SDRAM
Samsung introduce la SDRAM y el SDR. La diferencia principal radica en que este tipo de memorias se conecta al reloj del sistema y esta diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. -
EDO-RAM
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).
Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. Velocidad de transferencia
320 MB/s. -
DDR
El DDR utiliza el límite máximo y mínimo del reloj del sistema, doblando la velocidad de la memoria. Fue una tecnología que se utilizaba en memoria RAM, como en tarjetas gráficas. -
BEDO-RAM
Es una evolución de la EDO RAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador.
Velocidad de transferencia:
Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s. -
RDRAM
esta memoria que ofrecía un ancho de banda de memoria (teórica) de 1.6 GB/s. Era una memoria mucho más cara que la SDRAM, pero Intel la vio con muy buenos ojos porque ese ancho de banda era muy atractivo. -
eDRAM
Sony y Toshiba se aliaron para producir una memoria RAM integrada en la misma die del MCM. El coste por bit era mucho mayor que los chips DRAM, pero ofrecía grandes beneficios de rendimiento. Integrar la memoria en el ASIC o procesador permitía unos buses más anchos y unas operaciones con más velocidad. -
DDR2
Aunque fue diseñada y creada en 2001, Samsung no la comercializó hasta 2003, momento en que JEDEC otorgó a Samsung el premio al reconocimiento técnico por su estandarización y desarrollo. El DDR2 era una memoria SDRAM que venía en módulos DIMM cuya evolución tenía que ver con la frecuencia y el voltaje: menos energía y una velocidad más alta. -
2005, los videojuegos descubren el problema
El tamaño de las memorias iba a sufrir una evolución enorme con la llegada de la RAM DDR3 de Samsung. Hasta su llegada al mercado, la industria de los videojuegos para PC empezaba a alarmar de las necesidades de una mejora en las memorias RAM. -
DDR3
El fabricante surcoreano la estuvo desarrollando desde 2005, pero no llegaría nuestros hogares hasta 2007. La capacidad de estas memorias partiría de los 512 MB. Aunque muchos no lo sepan, Samsung es uno de los “héroes anónimos” de la historia gaming en PC. Lanzaría la memoria RAM DDR3 la cual sustituía a DDR2 mejorándola en todos los aspectos. -
DDR4
Fue desarrollado por Hynix desde 2011, pero Samsung fue quien las lanzó al mercado en 2014. De hecho, Samsung lanza un módulo de 2 GB DDR4 con una frecuencia de 2.133 MHz para testarlo. Los avances que trajo este tipo de memoria hablan por sí solos:
Desde 2133 MHz hasta 4.800 MHz de frecuencia.
Un voltaje desde 1.15V hasta 1.35V. -
2019-2021, Samsung y Micron empiezan a fabricar DDR5
En el caso de Samsung, empezó a fabricar módulos de prueba en 2019, pero será en 2021 cuando empiece a fabricar módulos DDR5 en masa. Por otro lado, Micron tiene varios frentes abiertos, pero ya os informamos de que en 2019 suministró a sus socios (empresas de servidores) algunos módulos DDR5 de prueba.
