Evolución de la memoria RAM

DDR3 – 1800

2007 BCE

Velocidad de transferencia de 14.40 GB/s @ 1800 MHz

PC3200 DDR400

2004 BCE

Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.

DDR3-800

2004 BCE

Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.

PC2100 DDR266

2003 BCE

Tecnologíia de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con bus de 166 MHz y ofrece una tasa de trasferencia máxima de 2.7GB/s.

PC2100- DDR266

2002 BCE

Velocidad de transferencia de 2133MB/S

PC1600 DDR200

2001 BCE

Velocidad de transferencia de 1600 MB/S

RD-RAM

1999 BCE

Por sus siglas RDRAM(Dynamic Random Access Memory) que significa, memoria dinámica de acceso aleatorio, tipo de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando un circuito dinámico de refresco que, cada cierto periodo, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.

SDR-SDRAM

1998 BCE

Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.

BEDO-RAM

1997 BCE

Es una evolución de la EDO-RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO-RAM, la limitación de la BEDO-RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.

DDR-SDRAM

1997 BCE

Módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.
No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj

EDO-RAM

1995 BCE

Lanzadas en 1995 y con tiempos de accesos de 40 a 30 ns.
También era capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va a utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

FPM-RAM

1988 BCE

Usado en procesadores como intel 486, se implanto un modo direccionamiento en el que el controlador de una memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. El acceso a los bits de memoria se realiza por medios de coordenadas, fila y columna

Flash Memory

1984 BCE

Tipo de memoria que se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente windows vista nos dio la opción de utilizarla tambien como memoria RAM:
Inventadas en 1984(ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas tambien en ese ao en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel y en 1988 Toshiva anunció el tipo de NAND en el ISSCC

SIMM

1978 BCE

El formato SIMM eliminó los pines metálicos dejando una áreas de cobre en uno de los bordes impresos similares a los que las tarjetas de expansión tienen la misma distribución de pines, los módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Fueron muy populares desde principios de los 80´s hasta finales de los 90´s.

MK4096

1975 BCE

La memoria MK4096 de 4K de un solo transistor por celda y con direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de Robert Proebsting, se dio cuenta que las celdas con un solo transistor y de 16 pines, era imposible acceder la información en una sola posición, enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz.

Memoria de núcleo magnético

1949 BCE

Uno de los primeros tipos de memoria RAM, se usada en muchos computadores, también conocida como memoria de toros o de núcleos de ferrita, hizo su aparición en 1950 desplazando tecnologías anteriores como la memoria de tambor magnético, lineas de retardo, selectrón, tubo williams, entre otros, eran baratas, fiables y rápidas.
Constituida el espacio donde se almacenaba la información que se procesaba en la computadora, por lo cual era similar a lo que hoy conocemos como memoria RAM.

Memoria

1946 BCE

El computador ENIAC, tiene como memoria la utilización de válvulas electrónicas de vacío para la construcción de bi-estables.